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ideal2007

银虫 (正式写手)

[求助] 求助,硅粉经氧化后XRD特征峰都小角度偏移?

求助大家
我姜硅粉氧化处理后,变成Si-SiO2
测试XRD后 特征峰都整体左移。并且随着处理温度的升高,越偏左。
如图?
角度变小, d变大,是氧引起的吗“?但是硅中氧原子加入,由于氧的半径小于硅 应该是使d变小呀?
这个究竟什么原因呢。
请大家赐教。

硅粉.jpg
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gyliu

铁杆木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
ideal2007: 金币+20, ★★★★★最佳答案, 很感谢啊 2013-04-09 15:08:18
你这个峰是Si的第一个峰吧。向左移动就对了,这是热膨胀引起的,温度高,晶胞就大,所以,高温的向左移。这和氧没关系,因为氧不是进入了Si的晶格,而是和Si反应形成了SiO2,相应地会有SiO2的衍射峰出现,但不是在这个位置。

» 本帖已获得的红花(最新10朵)

2楼2013-04-09 09:15:36
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ideal2007

银虫 (正式写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by gyliu at 2013-04-09 09:15:36
你这个峰是Si的第一个峰吧。向左移动就对了,这是热膨胀引起的,温度高,晶胞就大,所以,高温的向左移。这和氧没关系,因为氧不是进入了Si的晶格,而是和Si反应形成了SiO2,相应地会有SiO2的衍射峰出现,但不是在这 ...

十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是:上图显示的是硅的第一个主峰,是左偏的,其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗?或是应该只有第一个峰左偏?其他不偏移?各个峰左偏的程度不一样?

温度不是很高,也就室温-120度  这样的温度也会对硅粉影响这么大吗?
3楼2013-04-09 10:54:14
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gyliu

铁杆木虫 (职业作家)

引用回帖:
3楼: Originally posted by ideal2007 at 2013-04-09 10:54:14
十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是:上图显示的是硅的第一个主峰,是左偏的,其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗?或是应该只有第一个峰左偏?其他不偏移?各个峰左偏的程度不一样?

...

肯定会整体偏移的,只是高角度的偏移量大一些。你最好再做一下晶胞参数精化。
4楼2013-04-09 11:19:40
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师林涛77

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by ideal2007 at 2013-04-09 10:54:14
十分感谢回复呀。
不过还有些不明白的问题就是:上图显示的是硅的第一个主峰,是左偏的,其他峰也都是同样的规律。这样硅峰整体左偏正常吗?或是应该只有第一个峰左偏?其他不偏移?各个峰左偏的程度不一样?

...

你好,请问下,你是故意让硅氧化的么?具体的氧化温度是多少呢

发自小木虫Android客户端
5楼2017-12-08 12:50:28
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