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为何计算的形成能偏高
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注册: 2012-01-02
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II :电子结构
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为何计算的形成能偏高
最近在学习缺陷计算(主要是形成能和过渡能级),就从一篇ZnO的文章开始,文章中提到Zn缺陷,O缺陷,O间隙,O取代Zn,Zn间隙,Zn取代O,我的计算结果与前四种情况基本一致,但最后两种情况差别较大。
开始考虑间隙原子的位置是否有问题,但文章中明确说明是八面体,我是放在八面体的正中心,这有问题么??
Zn去取代O,难道Zn不放在O的位置上吗??
敬请赐教啊!!
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mumu216
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虫号: 1330519
注册: 2011-06-24
专业: 凝聚态物性 II :电子结构
★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流,,
2013-05-06 22:02:57
不明白你的问题,帮顶。想知道你是用VASP算的么?
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2楼
2013-05-05 17:34:27
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