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hy1987007

木虫 (著名写手)

应助: 12 (小学生)
金币: 20203.7
散金: 2
红花: 2
帖子: 2555
在线: 459小时
虫号: 1560286
注册: 2012-01-02
性别: GG
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

[求助] 为何计算的形成能偏高

最近在学习缺陷计算（主要是形成能和过渡能级），就从一篇ZnO的文章开始，文章中提到Zn缺陷，O缺陷，O间隙，O取代Zn,Zn间隙，Zn取代O,我的计算结果与前四种情况基本一致，但最后两种情况差别较大。
   开始考虑间隙原子的位置是否有问题，但文章中明确说明是八面体，我是放在八面体的正中心，这有问题么？？
   Zn去取代O，难道Zn不放在O的位置上吗？？
   敬请赐教啊！！

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1楼 2013-04-08 00:07:46

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mumu216

铁虫 (初入文坛)

应助: 0 (幼儿园)
金币: 23
帖子: 4
在线: 4.6小时
虫号: 1330519
注册: 2011-06-24
专业: 凝聚态物性 II ：电子结构

★ ★
franch: 金币+2, 谢谢回帖交流，， 2013-05-06 22:02:57

不明白你的问题，帮顶。想知道你是用VASP算的么？

2楼2013-05-05 17:34:27

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

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