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关于光子晶体中光子禁带与有效折射率的关系。
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光子晶体（Photonic Crystal）是在1987年由S.john和E.Yablonovitch分别独立提出，是由不同折射率的介质周期性排列而成的人工微结构。光子晶体即光子禁带材料，从材料结构上看，光子晶体是一类在光学尺度上具有周期性介电结构的人工设计和制造的晶体。与半导体晶格对电子波函数的调制相类似，光子带隙材料能够调制具有相应波长的电磁波---当电磁波在光子带隙材料中传播时，由于存在布拉格散射而受到调制，电磁波能量形成能带结构。能带与能带之间出现带隙，即光子带隙。所具能量处在光子带隙内的光子，不能进入该晶体。光子晶体和半导体在基本模型和研究思路上有许多相似之处，原则上人们可以通过设计和制造光子晶体及其器件，达到控制光子运动的目的。光子晶体(又称光子禁带材料)的出现，使人们操纵和控制光子的梦想成为可能。 搞光子晶体的朋友们都知道根据布拉格公式和斯涅尔定律，我们可以得到是应用与光子晶体的布拉格-斯涅耳公式，具体请见：http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=5418439。 在公式中由折射率和小球直径决定着禁带的位置，但是根据文献这个折射率也影响着禁带的半高宽，同时也有一篇文献报道折射率也影响着禁带的带深。附件中式我找到的相关文献，欢迎大家积极参与下载哈。也可以跟帖，好好讨论下这个问题，加强我们对光子晶体的理解哈！  2012年AM上一篇文献.png [ Last edited by 蒋青松 on 2013-2-22 at 15:47 ] |
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本内容由用户自主发布，如果其内容涉及到知识产权问题，其责任在于用户本人，如对版权有异议，请联系邮箱：xiaomuchong@tal.com - 附件 1 : 专题二带宽与折射率关系.zip
2013-02-22 15:41:08, 3.79 M
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