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葵花点穴手h银虫 (小有名气)
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电弧离子镀和cathodic Arc 有什么区别啊
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| 电弧离子镀（AIP）与cathodic arc两种镀膜方法是一样的吗？不是的话有什么区别呀，网上搜了一下相关的信息不是很多，跪求帮助，谢谢 |
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葵花点穴手h
银虫 (小有名气)
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3楼2013-01-22 21:17:35
aaronlc311
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【答案】应助回帖
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ant_512: 金币+2, 应助指数+1, 感谢！ 2013-01-22 14:12:59
葵花点穴手h: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-01-22 21:13:32
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葵花点穴手h: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-01-22 21:13:32
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Cathodic Arc是一种蒸发靶材料的方法，优点是离子化程度高，靶材利用率较高。产生的macro-particles可以用filter过滤掉，称为filtered-arc，可以作为PI3&D 还有其它方法的离子源，比如用作Ion Plating的离子源的时候整个系统就叫AIP。 AIP是以Cathodic Arc蒸发靶材做离子源的离子镀。 Cathodic Arc是离子源，Ion Plating是沉积方法，两个东西不是一类不能比较，但是两个东西合在一起就是你说的AIP。 http://en.wikipedia.org/wiki/Cathodic_arc_deposition http://en.wikipedia.org/wiki/Ion_plating |
2楼2013-01-22 04:06:59
aaronlc311
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离子镀： 靶材的离子化可以是通过蒸发（如EB或者电弧），溅射，或者干脆就是气体的分解（CVD)，没有一种特定的方法。 这种方法的特点是有高能粒子轰击工件/涂层表面。这种高能粒子可能是离子，也可能是中性粒子。 电弧镀： Cathodic arc deposition是利用阴极蒸发靶材产生高能离子，然后一般工件加有负偏压，带正电的离子可以以更高的能量沉积在工件表面。 同时Cathodic arc也是一种常见的离子源，用来蒸发靶材产生离子，然后用在其他的镀层方法上（PI3&D）。 总体来说，离子镀离子源种类多，待镀材料的选择更为广泛，而且粒子能量高，沉积的薄膜更加致密。相比较而言，电弧镀的靶材选择范围就较窄。 （以上均为个人理解，欢迎拍砖） |
4楼2013-01-23 04:56:40
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