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gusiyong

木虫 (小有名气)

[求助] 在背散射状态下为什么看不到二氧化硅层?

制备了一高温抗氧化涂层材料,材料样品进行氧化性能测试后镶样抛光看涂层的截面形貌,可确定涂层表面形成的是致密的SiO2层,而在截面形貌观察过程中,采用背散射和二次电子相对同一区域进行观察,发现在二次电子模式下可清楚看到SiO2层,但背散射状态下却无法观察到,请问各位其原因是什么?

上传了两张图片,分别是同一区域下的二次电子和背散射图片。

二次电子模式图片.jpg



背散射模式图片.jpg
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comma

专家顾问 (知名作家)

材料人

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
gusiyong: 金币+5 2013-01-02 15:25:23
wercde: 金币+1, 专家考核, 感谢专家交流,幸苦了~ 2013-01-02 16:34:06
二次电子像能看到很正常,因为是形貌像;背散射电子成像依靠背散射电子产额成像,与元素质量或元素原子序数Z大小有关,质量或Z越大衬度越亮;SiO2应该比基体的原子序数小,再者又是化合物态,故背电子信号偏弱。SEM操作增加亮度,以牺牲基体的衬度,显示出SiO2层的衬度。
每天一小步也有新高度
2楼2013-01-02 13:33:09
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josiahimr

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
gusiyong: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-01-04 12:02:18
在背散射下,SiO2的衬度与镶嵌料的衬度相似,所以分不清。你可以在样品表面先化学镀一层Ni-P,再镶嵌、打磨、抛光,观察截面形貌。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
向着阳光生长……
3楼2013-01-04 08:50:45
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hfutjzy

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

Si/O的原子序数小,背散射电子比较弱,可能与基材融合了,用EDS采集一张全图元素分布图,什么都能说明了
精益求精,不断进取
4楼2013-01-14 12:43:46
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xjw040

金虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by josiahimr at 2013-01-04 08:50:45
在背散射下,SiO2的衬度与镶嵌料的衬度相似,所以分不清。你可以在样品表面先化学镀一层Ni-P,再镶嵌、打磨、抛光,观察截面形貌。

向您请教个问题,做涂层的截面SEM照片,怎么制样呢?
5楼2013-03-09 21:09:13
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gusiyong

木虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by xjw040 at 2013-03-09 21:09:13
向您请教个问题,做涂层的截面SEM照片,怎么制样呢?...

得看看涂层和基体的特性,一般进行镶嵌、打磨、抛光(腐蚀)即可,如不导电则需喷金或喷碳处理!
6楼2013-03-12 11:36:47
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