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汕头大学海洋科学接受调剂
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小窗fly

铜虫 (小有名气)


[交流] 时效过程中为什么导电率上升

Cu-Ni-Si-Mg合金在500度时效时随时间延长导电率上升,谁能帮我解释一下原因,急求,谢谢
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余长风

金虫 (小有名气)



小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
金属的电阻与晶体中点缺陷密度相关,点缺陷引起的晶格畸变会使电阻发生散射,提高电阻率,其散射作用比位错所引起的更为强烈。时效过程点缺陷的降低会使电阻率降低。
9楼2012-12-27 10:46:00
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匿名

用户注销 (小有名气)



小窗fly(金币+1): 谢谢参与
本帖仅楼主可见
2楼2012-12-26 08:41:48
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dccpb

新虫 (小有名气)



小窗fly(金币+1): 谢谢参与
我想位错回复和晶粒长大是主要原因吧,,,位错和晶界这样的“缺陷”对电流具有阻碍作用,在铜合金领域中,有个著名的定律(貌似是MISS.....)是用来说明各种情况对导电性影响的,位错的影响较小。。
3楼2012-12-26 08:45:41
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石头段

银虫 (小有名气)


★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
wercde: 金币+1, 感谢交流,欢迎常来~~ 2012-12-26 17:57:20
时效过程中点缺陷的密度降低,减少对电子的散射,所以导电率上升。
5楼2012-12-26 15:48:45
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su-b084楼
2012-12-26 14:32   回复  
小窗fly(金币+1): 谢谢参与
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