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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 金属 » 基础研究 » 时效过程中为什么导电率上升
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小窗fly

铜虫 (小有名气)

[交流] 时效过程中为什么导电率上升

Cu-Ni-Si-Mg合金在500度时效时随时间延长导电率上升，谁能帮我解释一下原因，急求，谢谢
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1楼 2012-12-26 00:05:10
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dccpb

新虫 (小有名气)
★
小窗fly(金币+1): 谢谢参与
我想位错回复和晶粒长大是主要原因吧，，，位错和晶界这样的“缺陷”对电流具有阻碍作用，在铜合金领域中，有个著名的定律（貌似是MISS.....）是用来说明各种情况对导电性影响的，位错的影响较小。。
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3楼2012-12-26 08:45:41
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匿名

用户注销 (小有名气)
★
小窗fly(金币+1): 谢谢参与
本帖仅楼主可见
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2楼2012-12-26 08:41:48
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石头段

银虫 (小有名气)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
wercde: 金币+1, 感谢交流，欢迎常来~~ 2012-12-26 17:57:20
时效过程中点缺陷的密度降低，减少对电子的散射，所以导电率上升。
赞一下 回复此楼
5楼2012-12-26 15:48:45
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comma

专家顾问 (知名作家)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
1）500°可以一定程度激活点缺陷扩散湮灭；位错也能低能化排列组态；晶界也可能有微调，降低界面能；
2）脱溶析出，使得过饱和的基体晶格得到松弛；
这些微观过程都使得基体“干净”。
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6楼2012-12-26 18:57:00
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su-b084楼
2012-12-26 14:32   回复  
小窗fly(金币+1): 谢谢参与
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