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VASP在光催化中的应用之光电流
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各位学长大家好，本人做光催化时间较短，但是对光催化的基本原理理解的还可以。自己也读了一些综述性文献。VASP在光催化的应用大体概括起来主要计算禁带宽度，电导率，缺陷的作用，调整价带 导带位置，计算表面水解的势垒，表面的稳定性。我现在知道的就这么多了，如果还有其他我没说到的请大家下面跟上。 那么本人最近面临几个问题：1.对于大多数氧化物半导体，其导带位置低于水被还原的电位，那就需要加偏压。那么这个偏压对光催化都有哪几种影响？ 2.用光电化学法来分解水的时候，我们会得到光电流。光电流不同的变化规律怎样解释？例如图中所示三氧化二铁的光电流从无到有再到最大，变化缓慢，二氧化钛则变化迅速。那么VASP有办法模拟吗? 欢迎大家对第二个问题进行讨论。  QQ截图20121211111842.png |
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11楼2012-12-19 22:02:59
2楼2012-12-12 15:59:48
3楼2012-12-14 12:19:20
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panhaijun(金币+1): 谢谢参与
fzx2008: 金币+2, 谢谢交流！ 2012-12-14 14:34:47
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
fzx2008: 金币+2, 谢谢交流！ 2012-12-14 14:34:47
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http://muchong.com/bbs/viewthread.php?tid=4077433 http://mcmf.fzu.edu.cn/aboutus/ http://mall.cnki.net/magazine/Article/KWXB2012S1030.htm |
4楼2012-12-14 13:12:09
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fhz10楼
2012-12-14 15:05
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假大空6楼
2012-12-14 13:37
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