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panhaijun

新虫 (初入文坛)


[交流] VASP在光催化中的应用之光电流

各位学长大家好,本人做光催化时间较短,但是对光催化的基本原理理解的还可以。自己也读了一些综述性文献。VASP在光催化的应用大体概括起来主要计算禁带宽度,电导率,缺陷的作用,调整价带 导带位置,计算表面水解的势垒,表面的稳定性。我现在知道的就这么多了,如果还有其他我没说到的请大家下面跟上。
那么本人最近面临几个问题:1.对于大多数氧化物半导体,其导带位置低于水被还原的电位,那就需要加偏压。那么这个偏压对光催化都有哪几种影响?
2.用光电化学法来分解水的时候,我们会得到光电流。光电流不同的变化规律怎样解释?例如图中所示三氧化二铁的光电流从无到有再到最大,变化缓慢,二氧化钛则变化迅速。那么VASP有办法模拟吗?
欢迎大家对第二个问题进行讨论。

QQ截图20121211111842.png
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chaoma95

银虫 (小有名气)



panhaijun(金币+1): 谢谢参与
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2楼2012-12-12 15:59:48
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panhaijun

新虫 (初入文坛)


引用回帖:
2楼: Originally posted by chaoma95 at 2012-12-12 15:59:48
期待大牛来发表意见

你提点意见呀
3楼2012-12-14 12:19:20
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userhung

禁虫 (文学泰斗)


4楼2012-12-14 13:12:09
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panhaijun

新虫 (初入文坛)


引用回帖:
10楼: Originally posted by fhz at 2012-12-14 15:05:13

有什么建议吗
11楼2012-12-19 22:02:59
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2012-12-14 13:26   回复  
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
假大空6楼
2012-12-14 13:37   回复  
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
xjy07917楼
2012-12-14 13:38   回复  
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运运9228楼
2012-12-14 14:00   回复  
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hxp28009楼
2012-12-14 14:30   回复  
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
fhz10楼
2012-12-14 15:05   回复  
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
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