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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » VASP在光催化中的应用之光电流
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panhaijun

新虫 (初入文坛)

[交流] VASP在光催化中的应用之光电流

各位学长大家好，本人做光催化时间较短，但是对光催化的基本原理理解的还可以。自己也读了一些综述性文献。VASP在光催化的应用大体概括起来主要计算禁带宽度，电导率，缺陷的作用，调整价带 导带位置，计算表面水解的势垒，表面的稳定性。我现在知道的就这么多了，如果还有其他我没说到的请大家下面跟上。
那么本人最近面临几个问题：1.对于大多数氧化物半导体，其导带位置低于水被还原的电位，那就需要加偏压。那么这个偏压对光催化都有哪几种影响？
2.用光电化学法来分解水的时候，我们会得到光电流。光电流不同的变化规律怎样解释？例如图中所示三氧化二铁的光电流从无到有再到最大，变化缓慢，二氧化钛则变化迅速。那么VASP有办法模拟吗?
欢迎大家对第二个问题进行讨论。

QQ截图20121211111842.png
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1楼2012-12-11 16:13:45
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chaoma95

银虫 (小有名气)
★
panhaijun(金币+1): 谢谢参与
期待大牛来发表意见
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2楼2012-12-12 15:59:48
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