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【答案】应助回帖
具体操作方法:将单晶硅片分割成适当大小, 采用前文报导的方法进行表面预处理[ 8] . 放入1 :1: 40 MPTMS :H2O: 异丙醇( V / V) 溶液中24 h, 取出后分别用异丙醇、超纯水清洗, 高纯氮气吹干.再置于烘箱内110 ℃保温处理30min, 在超纯水中超声2min, 用高纯氮气吹干, 即得巯基修饰的
单晶硅片( Si/ MPTMS)
参考文献[8]Wang J, Zhu T, Son g J Q, et al .T hin Sol id Films, 1998, 327/329: 591 |
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