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离子键晶体和共价键晶体缺陷的问题。
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lzg919530615
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虫号: 1790226
注册: 2012-05-02
性别: GG
专业: 无机非金属类光电信息与功
[
求助
]
离子键晶体和共价键晶体缺陷的问题。
请问一下,离子键晶体的缺陷是不是比共价键晶体的缺陷要少?如果是,为什么?下面这句话是原文:Oxides have electronic structures specific to the ionic chemical bonds, and therefore they form much fewer defect states in the band gap than conventional covalent semiconductors such as silicon.
谢谢!
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1楼
2012-11-16 19:12:25
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wangduo0306
铜虫
(正式写手)
应助: 1
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在线: 135.1小时
虫号: 2401225
注册: 2013-04-04
性别: GG
专业: 其他无机非金属材料
【答案】应助回帖
对于离子键晶体和共价键晶体中缺陷的问题在韦丹《固体物理》第二版中提及:共价晶体中每个原子的结合能比具有相似原子量的离子晶体要低一些,但是共价晶体的熔点却比例子晶体高得多,因为共价晶体中缺陷比离子晶体中难形成得多。
也就是说相同原子量的情况下离子晶体更易形成缺陷。你这段话出自哪里?
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2楼
2013-05-24 17:25:36
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