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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 测试表征 » 如何选择转移石墨烯用的SiO2/Si片
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liuxiaoyucrd

金虫 (小有名气)

[求助] 如何选择转移石墨烯用的SiO2/Si片 已有1人参与

请问一下转移石墨烯用的SiO2/Si片 SiO2厚度针对光学显微镜，电学测试等等有什么具体要求？其下面的Si片有什么要求，是需要掺杂的，还是怎么样都可以？还有是否需要单面抛光？Si片的电阻率有要求吗？
     要是有用得好的厂家推荐一个吧，着急买，请大家帮帮忙
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1楼 2012-11-15 12:57:35
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蒋青松

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主优秀版主
顶一下··············
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2楼2012-11-16 07:56:13
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fengyunli

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liuxiaoyucrd: 金币+10, ★有帮助, 谢谢，想请问一下你们买的是什么价格？多大一块多少钱？ 2012-11-16 15:37:53
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-17 15:21:11
一般来说，300 nm SiO2 wafer 在光学显微镜下衬度比较好，很多文献上有说的。对于电学测量，看看你要不要加backgate了，如果加backgate的话，需要Si是高掺杂的低电阻。SiO2层越薄，gate响应会强一些。但是太薄了，会有击穿的问题。还有就是如果氧化层的质量不好，有pinhole的话，也容易出现leakage。 unversal wafer 这个公司的不错，我们都是从那里买的。
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3楼2012-11-16 13:32:23
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fengyunli

木虫 (正式写手)
忘了说了，单面抛光即可，双面抛光的很贵：）
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4楼2012-11-16 13:33:16
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fengyunli

木虫 (正式写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by fengyunli at 2012-11-16 13:32:23
一般来说，300 nm SiO2 wafer 在光学显微镜下衬度比较好，很多文献上有说的。对于电学测量，看看你要不要加backgate了，如果加backgate的话，需要Si是高掺杂的低电阻。SiO2层越薄，gate响应会强一些。但是太薄了，会 ...

4 inch 大概是一片130 左右的样子。
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5楼2012-11-16 15:48:00
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liuxiaoyucrd

金虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by fengyunli at 2012-11-16 15:48:00
4 inch 大概是一片130 左右的样子。...

unversal wafer 是这个公司名吗？怎么百度上查不到呢，能直接给个公司的链接吗？
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6楼2012-11-17 09:15:01
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fengyunli

木虫 (正式写手)
引用回帖:
6楼: Originally posted by liuxiaoyucrd at 2012-11-17 09:15:01
unversal wafer 是这个公司名吗？怎么百度上查不到呢，能直接给个公司的链接吗？...

http://www.universitywafer.com/
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7楼2012-11-17 10:14:34
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quantity

铁虫 (初入文坛)
用N型硅和P型硅有什么区别吗
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8楼2013-04-11 21:09:18
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by quantity at 2013-04-11 21:09:18
用N型硅和P型硅有什么区别吗

是掺杂不一样，N型的一般是掺杂磷，P型的一般是掺杂硼
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9楼2014-12-05 09:35:57
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