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汕头大学海洋科学接受调剂
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liuxiaoyucrd

金虫 (小有名气)

[求助] 如何选择转移石墨烯用的SiO2/Si片 已有1人参与

请问一下转移石墨烯用的SiO2/Si片 SiO2厚度针对光学显微镜,电学测试等等有什么具体要求?其下面的Si片有什么要求,是需要掺杂的,还是怎么样都可以?还有是否需要单面抛光?Si片的电阻率有要求吗?
     要是有用得好的厂家推荐一个吧,着急买,请大家帮帮忙
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zjlenny

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
8楼: Originally posted by quantity at 2013-04-11 21:09:18
用N型硅和P型硅有什么区别吗

是掺杂不一样,N型的一般是掺杂磷,P型的一般是掺杂硼
9楼2014-12-05 09:35:57
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蒋青松

荣誉版主 (著名写手)

优秀版主优秀版主优秀版主

顶一下··············
2楼2012-11-16 07:56:13
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fengyunli

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
liuxiaoyucrd: 金币+10, 有帮助, 谢谢,想请问一下你们买的是什么价格?多大一块多少钱? 2012-11-16 15:37:53
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-17 15:21:11
一般来说,300 nm SiO2 wafer 在光学显微镜下衬度比较好,很多文献上有说的。对于电学测量,看看你要不要加backgate了,如果加backgate的话,需要Si是高掺杂的低电阻。SiO2层越薄,gate响应会强一些。但是太薄了,会有击穿的问题。还有就是如果氧化层的质量不好,有pinhole的话,也容易出现leakage。 unversal wafer 这个公司的不错,我们都是从那里买的。
3楼2012-11-16 13:32:23
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fengyunli

木虫 (正式写手)

忘了说了,单面抛光即可,双面抛光的很贵:)
4楼2012-11-16 13:33:16
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