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如何选择转移石墨烯用的SiO2/Si片 已有1人参与
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请问一下转移石墨烯用的SiO2/Si片 SiO2厚度针对光学显微镜，电学测试等等有什么具体要求？其下面的Si片有什么要求，是需要掺杂的，还是怎么样都可以？还有是否需要单面抛光？Si片的电阻率有要求吗？ 要是有用得好的厂家推荐一个吧，着急买，请大家帮帮忙 |
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 石墨烯与碳纳米管 |
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9楼2014-12-05 09:35:57
蒋青松
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2楼2012-11-16 07:56:13
fengyunli
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蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-17 15:21:11
| 一般来说，300 nm SiO2 wafer 在光学显微镜下衬度比较好，很多文献上有说的。对于电学测量，看看你要不要加backgate了，如果加backgate的话，需要Si是高掺杂的低电阻。SiO2层越薄，gate响应会强一些。但是太薄了，会有击穿的问题。还有就是如果氧化层的质量不好，有pinhole的话，也容易出现leakage。 unversal wafer 这个公司的不错，我们都是从那里买的。 |
3楼2012-11-16 13:32:23
fengyunli
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4楼2012-11-16 13:33:16
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