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CV求的电容为什么比EIS求的电容要高 已有1人参与
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| CV在2mV/s下的比电容比EIS在0.01Hz下的比电容要高出一些。怎么解释好。CV是利用积分面积求得，EIS电容是利用公式-1/2πfZ'm求得 |
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首先，EIS全谱扫描。根据全谱来判定你的体系含有什么样的一个等效电路。 如果是一个明显半圆加一条斜线。这个是经典的（cpe）（RWo）电路。也就是说这个体系除了纯电阻还要串一个并联电路，并联电路的一支是CPE，另一支是RWo串联。 这样的电路已经不是纯电容的电路了。 也就是说你在半圆后的实部虚部是rWo串联电路，另一支的电容因为低频已经是断路了。 高频通，低频断，电容的特性这个应该可以理解吧。 所以当频率太低时，电容是可以被看成断路的。这个时候的虚部来计算电容值，不可行。 这就是为什么很多EIS或者用单点频率求电容时一般不小于100Hz。特别的，为什么物化实验里测溶液电导时有个问答题，为什么频率太高或者太低都不好，而选用1000hz的频率。就是这个原因。特别高的频率比如100000hz，这里只有纯电阻。因为电容可以通高频，高频穿过去了。也就是被短路了。所以整个等效电路只有最前面的Rs。 这些可以用公式表达。当你的频率是10万，或者很低0.1hz时，你看看那些公式，哪项是可以被忽略的。测得那就是那部分。 |
12楼2012-11-14 09:42:30
hw_zhong
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2楼2012-11-12 11:17:41
3楼2012-11-12 17:17:33
yongdan.h
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4楼2012-11-12 19:23:02