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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 电化基础 » CV求的电容为什么比EIS求的电容要高
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hhxxa

金虫 (正式写手)

[求助] CV求的电容为什么比EIS求的电容要高已有1人参与

CV在2mV/s下的比电容比EIS在0.01Hz下的比电容要高出一些。怎么解释好。CV是利用积分面积求得，EIS电容是利用公式-1/2πfZ'm求得
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1楼2012-11-12 08:09:23
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nktornado

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
很多人说起EIS求电容的这个公式。
只能说只有rc串联电路适用于此公式，因为rc串联电路的实部就是r。虚部是-1/wc。
如果是其他电路，事实上不怎么适用，而且你用0.01hz来算，不合适。
应该再100Hz以上的频率点来计算
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3楼2012-11-12 17:17:33
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hw_zhong

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
首先必须承认EIS做出的电容比较准确，但是它不是很容易做好和做漂亮。CV扫出来的曲线很容易偏离理想的矩形，里面很有可能包含法拉第电流。一般来说你用单点的频率算出电容是可以的，但是电极一般表面不均匀，电荷分布也不均匀，容易发生弥散效率，单点频率算出来的误差大，一般采用全频线性拟合算出电容。
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2楼2012-11-12 11:17:41
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yongdan.h

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
首先要确定你的实验体系，并不是所有的体系都能直接从阻抗的虚部直接求得电容，一般的传统求电容的方法和等效电路有关。
用CV求电容，不知道你的扫描区间是在什么范围内，有没有法拉第反应的出现，如果有的话，CV是个连续过程，而阻抗的，你是用固定电位，然后扫频率的么？如果是的话，这是一个不连续的过程。
这种方法求出的电容值，本身就会有不同的。
而且，阻抗求电容，传统的讲法就有CPE的行为，就是电容离散。实际上它是阻抗测定过程中的伴随弊端，其中有内阻。

不好意思罗列了很多，总的意思是，分析起来要看具体情况。
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4楼2012-11-12 19:23:02
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yongdan.h

木虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by hw_zhong at 2012-11-12 12:17:41
首先必须承认EIS做出的电容比较准确，但是它不是很容易做好和做漂亮。CV扫出来的曲线很容易偏离理想的矩形，里面很有可能包含法拉第电流。一般来说你用单点的频率算出电容是可以的，但是电极一般表面不均匀，电荷分 ...

麻烦你问一下，为什么一定要选100 Hz 以上的频率点算电容呢？呵呵，请教一下~~~
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No pain no gain
5楼2012-11-12 19:25:33
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