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掺杂增加，禁带减小应该怎么解释 已有8人参与
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看到的解释有：杂质在禁带中提供了能级，导致导带向下延伸，所以禁带小了。 我的疑问是：如何解释随着掺杂量的逐步增加，禁带逐步减小，最后趋于常数。 可以理解为掺杂增加后，杂质带来的能级作用越来越明显吗？ |
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pandabear
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当杂质原子增多，原子间的间距减小，电子共有化现象发生。电子之前可以在所有杂质原子同一能级自由运动，随着原子增多，间距减小，电子可以在所有原子所有能级自由运动，这就表现为能级分裂，扩展成能带，所以禁带减小。能级分裂的程度与杂质材料和掺杂浓度有关。当浓度超过一定值后，能级扩展成能带，进一步增加浓度，对能带宽度影响不大，但是对当中的分裂能级之间的间隔有点影响，影响很小。所以禁带宽度趋于稳定值。 [ 发自手机版 http://muchong.com/3g ] |
9楼2012-11-10 08:53:08
jluxiaoxi
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| 这是个经典的半物问题，杂质能级都在禁带中，以N型半导体为例，杂质能级靠近导带，热激发后可以提供电子作为载流子。但是随着掺杂浓度增加，杂质提供的电子变多，但是每个能级上能够提供的态密度是一定的，所以杂质能级就会变成一个能带并向导带延伸，如果掺杂浓度足够高，杂质能带就有可能和导带连在一起了形成一个整体的能带，从而看起来就是禁带宽度变小，距离为价带到杂质能级的最低能级之差了，不知道说没说明白。也许有不严格的地方，但都是自己学习半导体物理后理解的，你可以自己看看 |
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lsle012楼2012-11-08 10:52:22
3楼2012-11-08 13:47:34
wangyong832
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