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lsle01

铁虫 (小有名气)

[交流] 掺杂增加,禁带减小应该怎么解释 已有8人参与

看到的解释有:杂质在禁带中提供了能级,导致导带向下延伸,所以禁带小了。
我的疑问是:如何解释随着掺杂量的逐步增加,禁带逐步减小,最后趋于常数。
可以理解为掺杂增加后,杂质带来的能级作用越来越明显吗?
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wangyong832

银虫 (著名写手)


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2楼: Originally posted by jluxiaoxi at 2012-11-08 10:52:22
这是个经典的半物问题,杂质能级都在禁带中,以N型半导体为例,杂质能级靠近导带,热激发后可以提供电子作为载流子。但是随着掺杂浓度增加,杂质提供的电子变多,但是每个能级上能够提供的态密度是一定的,所以杂质 ...

说的似乎是简并半导体的概念。
4楼2012-11-09 02:36:36
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wangyong832

银虫 (著名写手)


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6楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-11-09 18:40:23
简并带隙会增加吧...

我印象中  简并是重掺杂使得杂志能级扩展为能带  然后与导带或价带相连, 禁带宽度应该会减少啊。
7楼2012-11-10 06:51:07
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