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掺杂增加，禁带减小应该怎么解释 已有8人参与
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看到的解释有：杂质在禁带中提供了能级，导致导带向下延伸，所以禁带小了。 我的疑问是：如何解释随着掺杂量的逐步增加，禁带逐步减小，最后趋于常数。 可以理解为掺杂增加后，杂质带来的能级作用越来越明显吗？ |
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送鲜花一朵 
3楼2012-11-08 13:47:34
jluxiaoxi
木虫 (正式写手)
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-09 08:02:24
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
蒋青松: 金币+1, 鼓励交流 2012-11-09 08:02:24
| 这是个经典的半物问题，杂质能级都在禁带中，以N型半导体为例，杂质能级靠近导带，热激发后可以提供电子作为载流子。但是随着掺杂浓度增加，杂质提供的电子变多，但是每个能级上能够提供的态密度是一定的，所以杂质能级就会变成一个能带并向导带延伸，如果掺杂浓度足够高，杂质能带就有可能和导带连在一起了形成一个整体的能带，从而看起来就是禁带宽度变小，距离为价带到杂质能级的最低能级之差了，不知道说没说明白。也许有不严格的地方，但都是自己学习半导体物理后理解的，你可以自己看看 |
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2楼2012-11-08 10:52:22
wangyong832
银虫 (著名写手)
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4楼2012-11-09 02:36:36
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