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lhtlx95

新虫 (小有名气)

[求助] 用castep进行结构优化的遇到的一些问题

各位虫友:
    本人最近在做有关层状硅酸盐的第一性原理计算,应用的软件是MS中的castep,由于接触第一性原理时间不长,在结构优化过程中遇到了一些问题,希望得到同行前辈的指点,小弟先谢过了!
    1、根据我看到的相关资料,在利用castep进行计算时,需要对参数(主要是截断能和K点)进行收敛性测试。在论坛中一个帖子上,有同行提到“将体系总能量和晶格常数组为几何优化的目标物理量,但能量截断值大于某一能量值或k点取样达到一定密度时,总能量和晶格常数将趋于一稳定值”,请问各位虫友,收敛性测试具体如何进行?比如,通过什么具体的方法得到晶格常数对K点采样的稳定值。
    2、在一篇相关的文献中看到:“The pseudopotentials we used for Si, Al, and O were generated with the core electrons treated using the same Perdew -Wang 91 GGA as for the valence electrons in contrast to the common practice of generating pseudopotentials using the LDA then using the GGA approximation for valence electrons。” 此论文也用的是castep方法,请问各位虫友,在castep中如何选择各元素的赝势,是不是如下图,在potentials选项卡中选择,那么同一元素不同的赝势有什么区别,以及如何选择芯电子和价电子的赝势?
     3、我所要计算的模型叶腊石的分子式为[Al4Si8O20(OH)4],请问此结构在做结构优化时是否需要考虑自旋极化,如果需要考虑的话,是否需要用LDA+U的方法以及initial spin如何设定?或者能够推荐相关的资料或者书籍,谢谢。
      4、结构优化后的结果和实验结果对比的话,根据大家的经验,一般模拟的晶格参数与实验结果相差多少时就认为模拟的结果是合理的?

potentials.jpg
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lhtlx95

新虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
8楼: Originally posted by css8170 at 2012-11-12 09:38:10
关于你的问题,我的理解如下:

1、一般采用计算单点能的方法对收敛性进行测试就可以,因为结构优化就是计算一系列单点能。

2、选择不同的赝势对计算速度和精度有影响,同一次计算最好采用相同的赝势。

...

谢谢您的解答,现在的问题是我用较高的截断能以及K点采样(K点根据文献),以及和文献相同的赝势,优化的结果和实验结果以及相关的文献差距较大,这种情况如何处理?
   或者有什么途径可以判断我的优化结果是稳定的、可行的?
    谢谢了!
9楼2012-11-12 11:17:17
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不在寂寞

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖


感谢参与,应助指数 +1
WDD880227: 金币+1, 多谢交流 2012-11-07 19:03:47
我也是刚刚接触,说下我的理解
1、收敛测试是根据一系列几何优化,做出能量曲线,固定K点,测试不同截断能下的能量,然后再固定截断能,测试不同K点的能量。这样做出曲线,找能量低的点或相对稳定的点,不一定是能量最低的参数。
2、赝势的选取不是固定的,你可以对同一体系进行几个函数的测试,然后选取与实验值相对接近的,也可根据文献中的做,看看别人都用什么,差别不是很大,主要是因为近似方法不同。另外,同一个体系用的是相同的函数,不是对每个原子进行函数设置。
3、自旋极化是针对有磁性的体系,如果体系没有磁性不必选择。+U是对结果进行修正的,当理论结果与实验结果相差较大时才考虑+U,而且U值也不是随便加的。
4、晶格尽量接进吧,这个没什么标准,相差越小,说服力越强。
只是个人愚见

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下一站幸福
2楼2012-11-07 13:27:41
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wangliangzhe

木虫 (正式写手)

方便把相关文章贴出来吧
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3楼2012-11-07 14:39:28
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lhtlx95

新虫 (小有名气)

送鲜花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 不在寂寞 at 2012-11-07 13:27:41
我也是刚刚接触,说下我的理解
1、收敛测试是根据一系列几何优化,做出能量曲线,固定K点,测试不同截断能下的能量,然后再固定截断能,测试不同K点的能量。这样做出曲线,找能量低的点或相对稳定的点,不一定是能 ...

谢谢您的指点,可我还有一些困惑:
1、有些资料上说收敛性测试是改变截断能或K点对系统进行单点能计算,你说是对系统进行结构优化,到底哪种方法是正确的?而且,我做过比如固定截断能,改变K点对同一系统进行结构优化,如果总能趋于稳定,但晶格常数却变化很大,那该如何处理?就是说通过什么途径的到晶格常数的稳定值。
2、上图给出的选项卡中,应该就是对每个元素可以进行赝势的选择,关键是什么时候需要选择,选择的标准是什么?
3、您说自旋极化是针对有磁性的体系,请问如何判断体系是否有磁性(不好意思,本人原本不是学化学的,可能问的问题比较低级),或者我给出的这个体系[Al4Si8O20(OH)4]是否具有磁性?
4、晶格参数和实验越接近就越好的话,除了调节截断能、K点以及赝势的种类,还可以通过调节哪些参数提高计算的准确度,以及选择这些参数有什么标准?
    请各位虫友多多指教!!!
4楼2012-11-08 09:22:42
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