应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 测试表征 » ZnO PL谱的UV发射峰强度随热处理温度增加而降低，什么原因？
71/1返回列表
查看: 1257  |  回复: 6
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

yydlzq

新虫 (初入文坛)

[交流] ZnO PL谱的UV发射峰强度随热处理温度增加而降低，什么原因？ 已有4人参与

ZnO粉体在空气气氛中经不同温度热处理之后，PL测试发现UV发射（既是所谓的带边激子辐射复合发光）强度岁热处理温度增加而降低，既是出现了猝灭现象。而同时可见光区发射强度变化很小。一般而言，ZnO的PL谱的猝灭应同时发生在可见及紫外两个发射峰上，为何现在只猝灭了UV发射哪？
哪位高人知道是什么原因使得ZnO粉体的UV发射强度随热处理温度降低而降低哪？
只有半个金币了。
回复此楼

» 猜你喜欢
妹妹你大胆的向前走，莫回头。
1楼 2012-11-01 22:26:11
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

zemix

铜虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
应该是的浅层defects oxygen vacancy因为在空气中加热减少有关系吧，可以测下霍尔效应或者简单的导电性确认下
赞一下(1人) 回复此楼
good good study, day day up
2楼2012-11-02 10:19:09
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

solar123

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
随着温度增加，表面缺陷发生了什么变化吧，可能
赞一下 回复此楼
3楼2012-11-02 13:30:53
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xia2436

金虫 (小有名气)
本征浓度猝灭
回复此楼
4楼2012-11-03 10:31:55
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yydlzq

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zemix at 2012-11-02 10:19:09
应该是的浅层defects oxygen vacancy因为在空气中加热减少有关系吧，可以测下霍尔效应或者简单的导电性确认下

多谢赐教。
有个别文献也提及类似的现象，但都解释的的语焉不详，认为是高温退火使得ZnO表面或晶粒边界形成了过多的“oxidized layer ”。
反射光谱测试显示红外反射率随温度增加而增加，应是因为自由电子浓度降低所致，因此电导率必然降低。
二楼所说的“浅层defects oxygen vacancy”，和ZnO的PL谱中UV发射强度降低有什么关系哪？比较公认的观点应该是PL谱的可见光发射带，或所谓绿光发射和单电离的氧空位有关。
盼解释。
赞一下 回复此楼
妹妹你大胆的向前走，莫回头。
5楼2012-11-03 14:25:34
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yydlzq

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by xia2436 at 2012-11-03 10:31:55
本征浓度猝灭

请教：“本征浓度猝灭”是何意？是引起本征发射的“bound exciton” 电子空穴对的猝灭吗？若是如此，物理过程又是如何哪？
盼赐教。
鄙人所了解的ZnO的PL猝灭一般是有于氧空位增加，引起的表面分子氧吸附猝灭激发态，且是同时猝灭UV和VIS两部分的PL。次观点已经试验证实。
赞一下 回复此楼
妹妹你大胆的向前走，莫回头。
6楼2012-11-03 14:33:49
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

resalat61

禁虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
mjx150: 欢迎到本版交流 2014-01-08 14:25:41
本帖内容被屏蔽
7楼2014-01-08 12:59:52
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 yydlzq 的主题更新
71/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭