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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 测试表征 » ZnO PL谱的UV发射峰强度随热处理温度增加而降低，什么原因？
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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yydlzq

新虫 (初入文坛)

[交流] ZnO PL谱的UV发射峰强度随热处理温度增加而降低，什么原因？ 已有4人参与

ZnO粉体在空气气氛中经不同温度热处理之后，PL测试发现UV发射（既是所谓的带边激子辐射复合发光）强度岁热处理温度增加而降低，既是出现了猝灭现象。而同时可见光区发射强度变化很小。一般而言，ZnO的PL谱的猝灭应同时发生在可见及紫外两个发射峰上，为何现在只猝灭了UV发射哪？
哪位高人知道是什么原因使得ZnO粉体的UV发射强度随热处理温度降低而降低哪？
只有半个金币了。
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妹妹你大胆的向前走，莫回头。
1楼 2012-11-01 22:26:11
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zemix

铜虫 (小有名气)
★
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应该是的浅层defects oxygen vacancy因为在空气中加热减少有关系吧，可以测下霍尔效应或者简单的导电性确认下
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good good study, day day up
2楼2012-11-02 10:19:09
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solar123

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
随着温度增加，表面缺陷发生了什么变化吧，可能
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3楼2012-11-02 13:30:53
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xia2436

金虫 (小有名气)
本征浓度猝灭
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4楼2012-11-03 10:31:55
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yydlzq

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by zemix at 2012-11-02 10:19:09
应该是的浅层defects oxygen vacancy因为在空气中加热减少有关系吧，可以测下霍尔效应或者简单的导电性确认下

多谢赐教。
有个别文献也提及类似的现象，但都解释的的语焉不详，认为是高温退火使得ZnO表面或晶粒边界形成了过多的“oxidized layer ”。
反射光谱测试显示红外反射率随温度增加而增加，应是因为自由电子浓度降低所致，因此电导率必然降低。
二楼所说的“浅层defects oxygen vacancy”，和ZnO的PL谱中UV发射强度降低有什么关系哪？比较公认的观点应该是PL谱的可见光发射带，或所谓绿光发射和单电离的氧空位有关。
盼解释。
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妹妹你大胆的向前走，莫回头。
5楼2012-11-03 14:25:34
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yydlzq

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by xia2436 at 2012-11-03 10:31:55
本征浓度猝灭

请教：“本征浓度猝灭”是何意？是引起本征发射的“bound exciton” 电子空穴对的猝灭吗？若是如此，物理过程又是如何哪？
盼赐教。
鄙人所了解的ZnO的PL猝灭一般是有于氧空位增加，引起的表面分子氧吸附猝灭激发态，且是同时猝灭UV和VIS两部分的PL。次观点已经试验证实。
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妹妹你大胆的向前走，莫回头。
6楼2012-11-03 14:33:49
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resalat61

禁虫 (小有名气)
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mjx150: 欢迎到本版交流 2014-01-08 14:25:41
本帖内容被屏蔽
7楼2014-01-08 12:59:52
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