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yydlzq

新虫 (初入文坛)

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[交流] ZnO PL谱的UV发射峰强度随热处理温度增加而降低，什么原因？已有4人参与

ZnO粉体在空气气氛中经不同温度热处理之后，PL测试发现UV发射（既是所谓的带边激子辐射复合发光）强度岁热处理温度增加而降低，既是出现了猝灭现象。而同时可见光区发射强度变化很小。一般而言，ZnO的PL谱的猝灭应同时发生在可见及紫外两个发射峰上，为何现在只猝灭了UV发射哪？
哪位高人知道是什么原因使得ZnO粉体的UV发射强度随热处理温度降低而降低哪？
只有半个金币了。

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妹妹你大胆的向前走，莫回头。

1楼 2012-11-01 22:26:11

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yydlzq

新虫 (初入文坛)

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引用回帖:

2楼: Originally posted by zemix at 2012-11-02 10:19:09
应该是的浅层defects oxygen vacancy因为在空气中加热减少有关系吧，可以测下霍尔效应或者简单的导电性确认下

多谢赐教。
有个别文献也提及类似的现象，但都解释的的语焉不详，认为是高温退火使得ZnO表面或晶粒边界形成了过多的“oxidized layer ”。
反射光谱测试显示红外反射率随温度增加而增加，应是因为自由电子浓度降低所致，因此电导率必然降低。
二楼所说的“浅层defects oxygen vacancy”，和ZnO的PL谱中UV发射强度降低有什么关系哪？比较公认的观点应该是PL谱的可见光发射带，或所谓绿光发射和单电离的氧空位有关。
盼解释。