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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 介孔SiO2的TG有点不正常
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蜀地越人

木虫 (正式写手)

[求助] 介孔SiO2的TG有点不正常

我做的介孔SiO2球，经550℃煅烧除去表面活性剂TTAB，然后放置了一段时间，最近拿去做TG，发现室温开始有一个明显的质量下降（2-5%），到近40℃才结束，DTA则显示有个上峰，表明有放热。余以为，如果是吸附水引起的 应该是接近100℃才开始有质量损失，而且应该是吸热（下峰）才对。而且室温下就开始急速下降，那我放了那么久还没降完吗，感觉像是操作的问题。请问各位大侠有什么高见。

未命名.JPG

[ Last edited by 蜀地越人 on 2012-9-26 at 14:13 ]
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1楼 2012-09-26 14:09:45
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蜀地越人

木虫 (正式写手)
自己顶
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2楼2012-09-29 20:28:12
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wenai3

金虫 (正式写手)

喜剧之王
你做的介孔二氧化硅秋是多大粒径的？
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wenai3
3楼2012-11-05 08:41:46
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sunyixinq

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
蜀地越人: 金币+10, ★有帮助 2012-12-30 11:05:22
这个还真是有点奇怪。不过，我也觉得是操作引起的，天平还是没有平衡吧。放热可能是你的机器余温太高了，超过了室温。
赞一下 回复此楼
其实，我是路过的，什么都与我无关
4楼2012-11-06 20:36:04
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