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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 电化学 » 腐蚀防护 » 有关PDM模型中氧空位的电性
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

[求助] 有关PDM模型中氧空位的电性

有谁了解MacDonald D D建立的点缺陷模型（PDM）中氧空位是怎么回事，什么是氧空位或金属离子空缺呢？做mott-schottky基曲线时，n-型半导体指钝化膜内为施主浓度，我了解的施主浓度是指能给予电子的载体，应该带负点吧，PDM上说n-型半导体的载流子主要指氧空位，那么氧空位带负点么？
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shiyilove

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@Jackcd12

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当你最想放弃的时候也是离成功最近的时候
1楼 2012-09-26 10:37:53
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
-只如初见: 金币+8, ★★★很有帮助 2012-09-26 17:14:59
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型，一般不是很好理解。
可以这样理解：如果没有缺陷，氧化物晶格成电中性，当一个晶格中的氧（O)不在了，即形成一个O空位，这个O空位是原子O空位，原化合态的O离子得到的电子并没有被带走，而是残留在金属离子周围，为了保持电中性，附近的O就会迁移填充这个空位，这样到达表面附近形成空间电荷层，始终就有多余电子而表现出N-type 特征。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2012-09-26 13:37:40
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普通回帖

-只如初见

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 13:37:40
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型，一般不是很好理解。
可以这样理解：如果没有缺陷，氧化物晶格成电中性，当一个晶格中的氧（O)不在了，即形成一个O空位，这个O空位是原子O空位，原化合 ...

非常感谢，我想再问下vation vacancy 和 cation interstitial 有什么区别
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当你最想放弃的时候也是离成功最近的时候
3楼2012-09-26 17:16:52
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★
-只如初见: 金币+2, ★★★很有帮助 2012-09-27 13:23:58
cation vacancy:阳离子空位，很好理解嘛
cation interstitial：晶格阳离子之间的间隙，这种间隙常常容易被离子半径很小的离子占据。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
4楼2012-09-26 17:47:20
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 17:47:20
cation vacancy:阳离子空位，很好理解嘛
cation interstitial：晶格阳离子之间的间隙，这种间隙常常容易被离子半径很小的离子占据。

阳离子空位可以和氧空位一样理解是么？那为什么阳离子间隙表现的是P-型半导体性质呢？
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5楼2012-09-27 13:25:00
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)
阳离子空位与O空位相反理解就行了。
填隙原子或离子与晶格结点空位成对出现，因此，阳离子填隙类似于阳离子空位，而阳离子空位使半导体表现出P型，因此，阳离子间隙也就表现为P-型性质。
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6楼2012-09-27 13:38:52
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-27 13:38:52
阳离子空位与O空位相反理解就行了。
填隙原子或离子与晶格结点空位成对出现，因此，阳离子填隙类似于阳离子空位，而阳离子空位使半导体表现出P型，因此，阳离子间隙也就表现为P-型性质。

恩，明白些谢谢你
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7楼2012-09-28 08:56:58
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 13:37:40
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型，一般不是很好理解。
可以这样理解：如果没有缺陷，氧化物晶格成电中性，当一个晶格中的氧（O)不在了，即形成一个O空位，这个O空位是原子O空位，原化合 ...

还想问下，晶格中的氧（O），写论文时可以叫氧原子么？“膜上金属氧化物的晶格发生缺陷，晶格上的氧原子脱落，钝化膜内形成了氧空位”这样写有错误么？
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8楼2012-09-28 12:56:52
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)
很少文献直接称O空位为氧原子空位，你就称氧空位。
形成氧空位的原因大多是在缺氧环境中热处理金属氧化物，或用H2部分还原氧化物而产生的，还有一种情况就是阳极氧化时溶液中的O难于扩散进入氧化物深层而导致氧化物晶格中O缺失。
氧化物晶格中的O缺失才导致氧化物产生缺陷，因此，O的缺失是因，缺陷是果，你好好考虑根据你的具体情况描述。
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Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
9楼2012-09-28 13:48:03
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)
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9楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-28 13:48:03
很少文献直接称O空位为氧原子空位，你就称氧空位。
形成氧空位的原因大多是在缺氧环境中热处理金属氧化物，或用H2部分还原氧化物而产生的，还有一种情况就是阳极氧化时溶液中的O难于扩散进入氧化物深层而导致氧化物 ...

哦~~~大致理解了，就是怕描述的不清楚。我看中英文文献都很少提到具体的微观过程，有你的解释明白多了
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10楼2012-09-28 15:05:31
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