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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

[求助] 有关PDM模型中氧空位的电性

有谁了解MacDonald D D建立的点缺陷模型(PDM)中氧空位是怎么回事,什么是氧空位或金属离子空缺呢?做mott-schottky基曲线时,n-型半导体指钝化膜内为施主浓度,我了解的施主浓度是指能给予电子的载体,应该带负点吧,PDM上说n-型半导体的载流子主要指氧空位,那么氧空位带负点么?
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
-只如初见: 金币+8, ★★★很有帮助 2012-09-26 17:14:59
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型,一般不是很好理解。
可以这样理解:如果没有缺陷,氧化物晶格成电中性,当一个晶格中的氧(O)不在了,即形成一个O空位,这个O空位是原子O空位,原化合态的O离子得到的电子并没有被带走,而是残留在金属离子周围,为了保持电中性,附近的O就会迁移填充这个空位,这样到达表面附近形成空间电荷层,始终就有多余电子而表现出N-type 特征。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
2楼2012-09-26 13:37:40
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 13:37:40
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型,一般不是很好理解。
可以这样理解:如果没有缺陷,氧化物晶格成电中性,当一个晶格中的氧(O)不在了,即形成一个O空位,这个O空位是原子O空位,原化合 ...

非常感谢,我想再问下vation vacancy 和 cation interstitial 有什么区别
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3楼2012-09-26 17:16:52
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

【答案】应助回帖

★ ★
-只如初见: 金币+2, ★★★很有帮助 2012-09-27 13:23:58
cation vacancy:阳离子空位,很好理解嘛
cation interstitial:晶格阳离子之间的间隙,这种间隙常常容易被离子半径很小的离子占据。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
4楼2012-09-26 17:47:20
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 17:47:20
cation vacancy:阳离子空位,很好理解嘛
cation interstitial:晶格阳离子之间的间隙,这种间隙常常容易被离子半径很小的离子占据。

阳离子空位可以和氧空位一样理解是么?那为什么阳离子间隙表现的是P-型半导体性质呢?
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5楼2012-09-27 13:25:00
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

阳离子空位与O空位相反理解就行了。
填隙原子或离子与晶格结点空位成对出现,因此,阳离子填隙类似于阳离子空位,而阳离子空位使半导体表现出P型,因此,阳离子间隙也就表现为P-型性质。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
6楼2012-09-27 13:38:52
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-27 13:38:52
阳离子空位与O空位相反理解就行了。
填隙原子或离子与晶格结点空位成对出现,因此,阳离子填隙类似于阳离子空位,而阳离子空位使半导体表现出P型,因此,阳离子间隙也就表现为P-型性质。

恩,明白些谢谢你
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7楼2012-09-28 08:56:58
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-26 13:37:40
对金属氧化物半导体因缺陷存在而使其表现出不同的半导体类型,一般不是很好理解。
可以这样理解:如果没有缺陷,氧化物晶格成电中性,当一个晶格中的氧(O)不在了,即形成一个O空位,这个O空位是原子O空位,原化合 ...

还想问下,晶格中的氧(O),写论文时可以叫氧原子么?“膜上金属氧化物的晶格发生缺陷,晶格上的氧原子脱落,钝化膜内形成了氧空位”这样写有错误么?
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8楼2012-09-28 12:56:52
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Jackcd12

至尊木虫 (知名作家)

很少文献直接称O空位为氧原子空位,你就称氧空位。
形成氧空位的原因大多是在缺氧环境中热处理金属氧化物,或用H2部分还原氧化物而产生的,还有一种情况就是阳极氧化时溶液中的O难于扩散进入氧化物深层而导致氧化物晶格中O缺失。
氧化物晶格中的O缺失才导致氧化物产生缺陷,因此,O的缺失是因,缺陷是果,你好好考虑根据你的具体情况描述。
Themoreamanlearns,themoreheknowshisignorance!
9楼2012-09-28 13:48:03
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-只如初见

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
9楼: Originally posted by Jackcd12 at 2012-09-28 13:48:03
很少文献直接称O空位为氧原子空位,你就称氧空位。
形成氧空位的原因大多是在缺氧环境中热处理金属氧化物,或用H2部分还原氧化物而产生的,还有一种情况就是阳极氧化时溶液中的O难于扩散进入氧化物深层而导致氧化物 ...

哦~~~大致理解了,就是怕描述的不清楚。我看中英文文献都很少提到具体的微观过程,有你的解释明白多了
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10楼2012-09-28 15:05:31
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