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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 合成表征 » 氧化铝----陶瓷和单晶---磁控溅射
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bazhuayuyu

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
ncepuchen: 金币+3, ★★★★★最佳答案 2012-09-13 12:32:22
引用回帖:
10楼: Originally posted by ncepuchen at 2012-09-12 21:49:21
谢谢你的回复，朋友！分析的很专业，一定有很多做磁控溅射的经验吧，不是书上能讲的了得！
由于我们实验室现有的设备是直流的，暂时没有增加射频电源的打算，所以要从铝靶下手，那么就是要配备O2和Ar的气路和流量 ...

不同的设备最好还是自己摸索一下，如果直流我觉得Ar流量可以先参考你们沉积铝膜的流量，O2流量多少会影响到靶表面氧化程度，氧化程度高靶表面不导电的区域会聚集电荷放电，当让更高会引起靶中毒，所以需要自己观察和调节，关于退火，我建议你如果有条件就比较一下氧气和空气下有无差别，温度时间还是要去试的，我记得ALD沉积氧化铝一般是在反应气体环境下400到450度退火的
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11楼2012-09-12 22:26:29
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ncepuchen

银虫 (正式写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by bazhuayuyu at 2012-09-12 22:26:29
不同的设备最好还是自己摸索一下，如果直流我觉得Ar流量可以先参考你们沉积铝膜的流量，O2流量多少会影响到靶表面氧化程度，氧化程度高靶表面不导电的区域会聚集电荷放电，当让更高会引起靶中毒，所以需要自己观察 ...

谢谢，我会继续摸索的，谢谢你给的建议
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知识的价值在于为创造想象，为我所用
12楼2012-09-13 12:33:10
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tudou33

禁虫 (初入文坛)
本帖内容被屏蔽
13楼2013-03-05 16:43:53
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ncepuchen

银虫 (正式写手)
引用回帖:
13楼: Originally posted by tudou33 at 2013-03-05 16:43:53
你好，请问您摸索的溅射氧化铝怎么样了，反应溅射还是直接溅射氧化铝？

后面改用了热蒸发镀铝，再在CVD系统中退火
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知识的价值在于为创造想象，为我所用
14楼2013-03-05 18:58:37
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武尊神

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
ncepuchen: 金币+7, ★★★★★最佳答案, 非常感谢 2013-11-25 09:36:28
单晶靶材有这么便宜么....国内的单晶和国外的单晶价格差距好几倍近十倍。好好做工艺吧
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却已知青山
15楼2013-11-21 16:22:55
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