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如何表征微米晶异质结性能
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最近合成了一种半导体氧化物的微米晶，暴露(110)和(111)面，在(110)面上选择性生长了另一层半导体氧化物的纳米晶。麻烦大家支招：都有那些性能可以表征？如何进行实验？ [ Last edited by nv110108 on 2012-8-28 at 11:08 ] |
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