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求助 回复再结晶 相关问题
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低层错能金属由于位错不易通过攀移运动转移到周围亚晶界，故再结晶以亚晶生长方式形核。 我想问的是低层错能金属的位错为什么不易进行攀移转移到周围亚晶界？ |
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
zhyq8767: 金币+2, 专家考核, 感谢专家顾问的详细解答 2012-07-28 13:48:13
感谢参与，应助指数 +1
zhyq8767: 金币+2, 专家考核, 感谢专家顾问的详细解答 2012-07-28 13:48:13
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形变/回复/再结晶过程远比我们想象的复杂， 层错能低与再结晶以亚晶生长方式没有直接因果关系；但是，层错能低对形变过程亚结构的形成动力学影响显著，以至于对回复、再结晶也有影响，需要具体问题具体分析。 层错能低更多影响位错的交滑移，因为扩展位错需要束集成全位错才能交滑移。层错能低，扩展位错展宽大，不易束集，这是其对材料形变/再结晶影响的主要原因。 对于再结晶形核机制，到底是应变诱发界面迁动(SIGM)，还是亚晶聚合粗化，这些问题仍有争议。 一般的总结，在适量形变程度时，亚晶聚合粗化机制是主要的机制，而在高形变程度及低层错能金属中，应变诱导晶界迁移机制是主要的机制。这种差别的原因尚不十分清楚。个人理解，低应变量下难以形成突兀的取向梯度，故亚晶聚合粗化机制占有优势。而胡徇认为SIGM的前期也有亚晶粗化聚合过程。 在绝大部分情况下，不论哪种机制形核，新晶粒都来自形变基体中的亚晶，新晶粒的取向也来自形变基体中的亚晶取向。例外的情况是，在某些低层错能合金中，在回复阶段时形成了非常小的孪晶，它们作为核心以应变诱导晶界迁移机制长大。 |
2楼2012-07-28 01:13:15
3楼2012-07-28 15:05:04
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