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Illusionist银虫 (正式写手)
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FTO(F-SnO2)的形成能的计算
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透明导电薄膜FTO，关于其中F替位O的形成能的计算， 计算得到F_O转换为F_O_+1的能量为Ef-Ev=2.0033eV左右，也就是说F是深能级？ 似乎计算存在一些问题。希望各位老师同学，给点意见和帮助 感激不尽 INCAR： SYSTEM=SnO2_F ENCUT=520 GGA=PE ISMEAR=-5 NSW=60 IBRION=2 ISIF=2 POTIM=0.5 EDIFF=1E-6 EDIFFG=1E-3 PREC=Accurate NELECT=624  [ Last edited by Illusionist on 2012-7-24 at 15:58 ] |
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9楼2012-08-09 08:29:52
frank_zhan
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- 专业: 无机非金属类光电信息与功
2楼2012-07-24 18:38:02
frank_zhan
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3楼2012-07-24 18:39:34
Illusionist
银虫 (正式写手)
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franch: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-25 17:56:20
franch: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-25 17:56:20
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Group-V impurities in SnO from first-principles calculations J. B. Varley, 1 A. Janotti, 2 and C. G. Van de Walle2 1 Department of Physics, University of California, Santa Barbara, California 93106-9530, USA 2Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA Received 19 March 2010; revised manuscript received 2 June 2010; published 30 June 2010 参照这个做的 |
4楼2012-07-25 08:21:13
