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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » FTO(F-SnO2)的形成能的计算
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Illusionist

银虫 (正式写手)

[求助] FTO(F-SnO2)的形成能的计算

透明导电薄膜FTO，关于其中F替位O的形成能的计算，
计算得到F_O转换为F_O_+1的能量为Ef-Ev=2.0033eV左右，也就是说F是深能级？

似乎计算存在一些问题。希望各位老师同学，给点意见和帮助
感激不尽


INCAR：

SYSTEM=SnO2_F
ENCUT=520
GGA=PE
ISMEAR=-5
NSW=60
IBRION=2
ISIF=2
POTIM=0.5
EDIFF=1E-6
EDIFFG=1E-3
PREC=Accurate
NELECT=624




[ Last edited by Illusionist on 2012-7-24 at 15:58 ]
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1楼2012-07-24 15:56:24
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢回帖！ 2012-07-24 20:36:09
Illusionist: 金币+5, ★有帮助, 不同电荷状态的形成能的交点，就是转换能量，这个带宽现在一般用的都是实验值（3.6eV，而不是理论值1.1左右） 2012-07-25 08:18:56
好像深能级只要是看该能级离CBM和VBM的能量间隔吧，比较靠近的就是CBM或者VBM的就是浅能级，比较远的就是深能级吧。跟形成能关系不太大吧。
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
2楼2012-07-24 18:38:02
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frank_zhan

金虫 (正式写手)
不过我觉得你这个结果还是挺有意思的。请问图是怎样得到的？
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
3楼2012-07-24 18:39:34
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Illusionist

银虫 (正式写手)
★ ★
franch: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-25 17:56:20
引用回帖:
3楼: Originally posted by frank_zhan at 2012-07-24 18:39:34
不过我觉得你这个结果还是挺有意思的。请问图是怎样得到的？

Group-V impurities in SnO from first-principles calculations


J. B. Varley,
1 A. Janotti,
2 and C. G. Van de Walle2
1
Department of Physics, University of California, Santa Barbara, California 93106-9530, USA
2Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA
Received 19 March 2010; revised manuscript received 2 June 2010; published 30 June 2010
参照这个做的
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4楼2012-07-25 08:21:13
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zhoucb
5楼2012-07-25 08:50:04
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Illusionist

银虫 (正式写手)
无人理睬····
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6楼2012-07-31 16:12:50
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huangll99

木虫 (职业作家)
F取代O是施主，电离能是E(CBM)-E(0/+1)=3.6-2.0033=。。。。。
是深能级！
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7楼2012-08-08 16:35:49
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Illusionist

银虫 (正式写手)
引用回帖:
7楼: Originally posted by huangll99 at 2012-08-08 16:35:49
F取代O是施主，电离能是E(CBM)-E(0/+1)=3.6-2.0033=。。。。。
是深能级！

对啊··计算结果显示是深能级，但是实际上不是啊······
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8楼2012-08-08 16:58:01
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huangll99

木虫 (职业作家)
引用回帖:
8楼: Originally posted by Illusionist at 2012-08-08 16:58:01
对啊··计算结果显示是深能级，但是实际上不是啊······...

那就是你的计算方法的问题了，而且LDA之类的很可能算的有问题。。。
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9楼2012-08-09 08:29:52
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