| 查看: 1177 | 回复: 8 | |||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||
Illusionist银虫 (正式写手)
|
[求助]
FTO(F-SnO2)的形成能的计算
|
||
|
透明导电薄膜FTO，关于其中F替位O的形成能的计算， 计算得到F_O转换为F_O_+1的能量为Ef-Ev=2.0033eV左右，也就是说F是深能级？ 似乎计算存在一些问题。希望各位老师同学，给点意见和帮助 感激不尽 INCAR： SYSTEM=SnO2_F ENCUT=520 GGA=PE ISMEAR=-5 NSW=60 IBRION=2 ISIF=2 POTIM=0.5 EDIFF=1E-6 EDIFFG=1E-3 PREC=Accurate NELECT=624  [ Last edited by Illusionist on 2012-7-24 at 15:58 ] |
回复此楼» 猜你喜欢
310求调剂
已经有5人回复
-
材料与化工272求调剂
已经有17人回复
-
材料工程专硕求调剂
已经有3人回复
-
337求调剂
已经有5人回复
-
材料与化工328分调剂
已经有9人回复
-
318一志愿吉林大学生物与医药 求调剂
已经有5人回复
-
一志愿南开大学0710生物学359求调剂
已经有4人回复
-
求调剂
已经有6人回复
-
085600材料与化工调剂
已经有4人回复
-
327求调剂
已经有4人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 【求助】如何在导电玻璃表面链接有机官能团？
已经有4人回复
- 【求助】如何将导电玻璃表面羟基化？请教大侠
已经有1人回复
Illusionist
银虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 20 (小学生)
- 金币: 232.8
- 散金: 1001
- 红花: 15
- 帖子: 431
- 在线: 329.1小时
- 虫号: 1123329
- 注册: 2010-10-15
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
★ ★
franch: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-25 17:56:20
franch: 金币+2, 鼓励交流 2012-07-25 17:56:20
|
Group-V impurities in SnO from first-principles calculations J. B. Varley, 1 A. Janotti, 2 and C. G. Van de Walle2 1 Department of Physics, University of California, Santa Barbara, California 93106-9530, USA 2Materials Department, University of California, Santa Barbara, California 93106-5050, USA Received 19 March 2010; revised manuscript received 2 June 2010; published 30 June 2010 参照这个做的 |
4楼2012-07-25 08:21:13
frank_zhan
金虫 (正式写手)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 819.6
- 散金: 130
- 红花: 3
- 帖子: 577
- 在线: 136.4小时
- 虫号: 688836
- 注册: 2009-01-06
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
2楼2012-07-24 18:38:02
frank_zhan
金虫 (正式写手)
- 应助: 10 (幼儿园)
- 金币: 819.6
- 散金: 130
- 红花: 3
- 帖子: 577
- 在线: 136.4小时
- 虫号: 688836
- 注册: 2009-01-06
- 性别: GG
- 专业: 无机非金属类光电信息与功
3楼2012-07-24 18:39:34
Illusionist
银虫 (正式写手)
- 1ST强帖: 1
- 应助: 20 (小学生)
- 金币: 232.8
- 散金: 1001
- 红花: 15
- 帖子: 431
- 在线: 329.1小时
- 虫号: 1123329
- 注册: 2010-10-15
- 专业: 半导体晶体与薄膜材料
6楼2012-07-31 16:12:50
