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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 催化 » 表征 » SiO2表面硅羟基问题
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wang22889

木虫 (小有名气)

[求助] SiO2表面硅羟基问题

stober法合成的SiO2微球，700℃下焙烧2h处理后，表面的硅羟基数量大概会减少多啊？有没有人做个这方面的考察，因为SiO2本身亲水，用红外的话，估计很难做出Si-OH峰来吧？
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1楼2012-07-23 21:46:49
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wang22889

木虫 (小有名气)
引用回帖:
13楼: Originally posted by loneselfcn at 2012-07-26 19:31:31
热重可通过升温速率控制，1/min
失去表面羟基温度大约在240~310之间，温度再高就会出现晶格改变了

今天仔细看了下这方面的文献，好像在400℃之前的脱水都是可以恢复的，而400℃之后的羟基脱水则是部分可恢复，温度越高，可恢复的部分就越少。不定形的SiO2出现晶格变化的温度应该不止这么低吧，SiO2的晶体那就是石英了。
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14楼2012-07-27 17:00:19
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boshi806

铁杆木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
wang22889: 金币+5, ★★★很有帮助, 非常感谢。之前有人告诉我说，这种微球的比表面积很小，在红外上根本看不到所谓的Si-OH峰出现，不知道是不是真的。 2012-07-24 11:48:28
红外可以做出Si-OH键的峰，有文献可查的！
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2楼2012-07-23 21:50:30
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miaocuilan

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
wang22889: 金币+10, ★★★很有帮助, 感谢 2012-07-24 09:22:22
硅羟基用红外是可以做出来的，但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验，700度下焙烧羟基会烧掉不少。
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催化路漫漫
3楼2012-07-24 09:21:26
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wang22889

木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by miaocuilan at 2012-07-24 09:21:26
硅羟基用红外是可以做出来的，但要预先抽真空处理。我做过这方面的实验，700度下焙烧羟基会烧掉不少。

问题是这样的，我这个材料需要焙烧，如果不用焙烧的话，强度达不到，温度就在700，500℃的话强度就不行了。那如果焙烧后，有什么方法可以让羟基回来一些，但是又不影响强度？水热处理可以吗？
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4楼2012-07-24 09:24:10
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