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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » [求助] 关于掺杂问题 新手求助
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搁浅五千年

新虫 (初入文坛)

[求助] [求助] 关于掺杂问题 新手求助

新手刚接触MS，想要试着在Ge中掺杂Co。（不是替换）
具体操作步骤是什么？不懂得操作啊。谢谢！

[ Last edited by 搁浅五千年 on 2012-7-14 at 12:04 ]
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1楼 2012-07-14 11:59:44
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回帖支持 ( 显示支持度最高的前 50 名 )

刘洁水文

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
8楼: Originally posted by hanbo528 at 2012-07-17 10:33:59
Cu负载TiO2的话，Cu应该是负载在TiO2表面。
TiO2表面应该是O覆盖的，这样比较稳定。需要注意的是，这里的表面O原子因为只与下层的Ti作用（O是顶层，上面的Ti已经被切掉），所以是有多余的成键能力的。当Cu负载的时 ...

谢谢，貌似遇到了专业人士，以后有问题请多多指教
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9楼2012-07-17 19:24:11
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xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+2, 应助指数+1, 谢谢指教 2012-07-16 11:42:16
既然不是替换那就只能是间隙位置，Ge的间隙应该是四面体间隙，体积有多大，Co原子的体积有多大，二者能否匹配。如果合适，你就要自己来根据拟掺杂间隙的位置来确定Co原子的位置，大概位置就好，因为你还要进行弛豫。至于具体操作，就类似于添加原子，没啥说的。
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2楼2012-07-15 09:52:39
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搁浅五千年

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by xueht987 at 2012-07-15 09:52:39
既然不是替换那就只能是间隙位置，Ge的间隙应该是四面体间隙，体积有多大，Co原子的体积有多大，二者能否匹配。如果合适，你就要自己来根据拟掺杂间隙的位置来确定Co原子的位置，大概位置就好，因为你还要进行弛豫。 ...

谢谢，再问下，掺杂间隙的位置要怎么确定呢？
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3楼2012-07-16 10:50:28
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hanbo528

新虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-16 11:42:32
引用回帖:
3楼: Originally posted by 搁浅五千年 at 2012-07-16 10:50:28
谢谢，再问下，掺杂间隙的位置要怎么确定呢？...

确定位置一般是考虑对称性，简单说来就是掺杂的原子与周围其他原子之间的距离相等。
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4楼2012-07-16 11:23:45
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刘洁水文

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by hanbo528 at 2012-07-16 11:23:45
确定位置一般是考虑对称性，简单说来就是掺杂的原子与周围其他原子之间的距离相等。...

那Co与Ge之间需要连接上金属键吗？
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5楼2012-07-16 16:21:39
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hanbo528

新虫 (小有名气)
★ ★ ★
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-17 00:08:34
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-17 09:26:11
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-17 14:52:49
引用回帖:
5楼: Originally posted by 刘洁水文 at 2012-07-16 16:21:39
那Co与Ge之间需要连接上金属键吗？...

一般来说，计算软件只考虑原子坐标，至于原子之间是否有键，仅仅是我们在一些软件里面显示的时候人为加上去的。只要两个原子距离足够近，应该就会有相互作用，也就是有键。
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6楼2012-07-16 17:50:43
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刘洁水文

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by hanbo528 at 2012-07-16 17:50:43
一般来说，计算软件只考虑原子坐标，至于原子之间是否有键，仅仅是我们在一些软件里面显示的时候人为加上去的。只要两个原子距离足够近，应该就会有相互作用，也就是有键。...

如果我采用浸渍的方法制备Cu负载的TiO2,Cu应该是掺杂到TiO2晶格中，如果O和Cu直接有键，那O会不会出现过饱和的现象，是不是通过结构优化MS就可以自动把不合理的键连接去掉？我也刚开始接触MS，不太懂，呵呵，谢谢指教。
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7楼2012-07-17 08:58:55
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hanbo528

新虫 (小有名气)
★
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-07-17 14:52:58
引用回帖:
7楼: Originally posted by 刘洁水文 at 2012-07-17 08:58:55
如果我采用浸渍的方法制备Cu负载的TiO2,Cu应该是掺杂到TiO2晶格中，如果O和Cu直接有键，那O会不会出现过饱和的现象，是不是通过结构优化MS就可以自动把不合理的键连接去掉？我也刚开始接触MS，不太懂，呵呵，谢谢指 ...

Cu负载TiO2的话，Cu应该是负载在TiO2表面。
TiO2表面应该是O覆盖的，这样比较稳定。需要注意的是，这里的表面O原子因为只与下层的Ti作用（O是顶层，上面的Ti已经被切掉），所以是有多余的成键能力的。当Cu负载的时候，Cu就与表面的O原子成键，完成负载过程。
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8楼2012-07-17 10:33:59
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刘洁水文

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
8楼: Originally posted by hanbo528 at 2012-07-17 10:33:59
Cu负载TiO2的话，Cu应该是负载在TiO2表面。
TiO2表面应该是O覆盖的，这样比较稳定。需要注意的是，这里的表面O原子因为只与下层的Ti作用（O是顶层，上面的Ti已经被切掉），所以是有多余的成键能力的。当Cu负载的时 ...

我的Cu负责量为5wt.%,我应该掺杂几个Cu原子，由于TiO2晶格结构的对称性，每添加一次Cu原子可以添加上两个，我可不可以只掺杂2个Cu原子，只做一个示意图？我不是专业做计算的，只是希望计算能为我的实验数据提供一些理论支持
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10楼2012-07-19 16:04:14
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