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hlpluo

新虫 (初入文坛)

[求助] CVD 石墨烯 铜箔处理

CVD法制备石墨烯,铜箔在1000度下退火30分钟,气体为氩气稀释的氢气(10%),流量20sccm,但是处理后出现了深浅不一的颜色块,如图,没有引入碳源,请问那路高人知道这是为什么?






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CVD-graphene的基础问题

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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

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转移下来看看是不是graphene~~~你搜下最近的一篇carbon,讲铜箔上石墨烯偏析生长的,应该没有通碳源。
2楼2012-07-07 23:39:37
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lidx0269

金虫 (著名写手)

ATRP 巯基/二硫 纳米金


【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
你的图是光学照片吗?有可能是铜箔不干净,表面有污点。
3楼2012-07-08 00:52:23
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hlpluo

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
3楼: Originally posted by lidx0269 at 2012-07-08 00:52:23
你的图是光学照片吗?有可能是铜箔不干净,表面有污点。

是光学图片,但是有污点的话,也不至于长的这么整齐啊,一条一条的
4楼2012-07-08 10:32:37
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hlpluo

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by semi-white at 2012-07-07 23:39:37
转移下来看看是不是graphene~~~你搜下最近的一篇carbon,讲铜箔上石墨烯偏析生长的,应该没有通碳源。

你的意思是,不同碳源的情况下就可以长出石墨烯?那篇文章的名字能发一下吗?
5楼2012-07-08 10:33:34
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
hlpluo: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-07-08 12:06:55
hlpluo: 回帖置顶 2012-07-10 16:00:26
copper segregation-carbon.pdf
http://kuai.xunlei.com/d/GOLRUUXLKOGX?p=130497
我看了一下它是通碳源的,但也足以证明溶解的c可以长graphene~~ 有篇 Liu Nan 的Nano lett是用Ni做的,利用杂质C偏析生长石墨烯。
你的体系,建议先测个拉曼看看,是graphene的话,再检查是不是铜箔里或者管路里有杂质碳
6楼2012-07-08 10:52:58
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hlpluo

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by semi-white at 2012-07-08 10:52:58
copper segregation-carbon.pdf
http://kuai.xunlei.com/d/GOLRUUXLKOGX?p=130497
我看了一下它是通碳源的,但也足以证明溶解的c可以长graphene~~ 有篇 Liu Nan 的Nano lett是用Ni做的,利用杂质C偏析生长石墨烯。 ...

但是我这个情况只有在1000度下才这样,温度低一点 800度左右就不会出现这种情况 唉 纠结
7楼2012-07-08 12:09:56
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

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引用回帖:
7楼: Originally posted by hlpluo at 2012-07-08 12:09:56
但是我这个情况只有在1000度下才这样,温度低一点 800度左右就不会出现这种情况 唉 纠结...

印象中铜箔的熔点就是要1000多,这个可以理解~~~先做点实验吧,应该是好现象~~
8楼2012-07-08 13:04:25
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xiabiaojun

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

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首先你的铜片不干净,上面又在杂质。其次有可能是因为氢气的量太少导致部分氧化造成的。
9楼2012-07-08 13:57:46
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zhmj_987

金虫 (小有名气)

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★ ★ ★ ★ ★
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hlpluo: 金币+5, 有帮助 2012-07-09 10:26:59
为什么不做个XRD看看成分呢,或者对2种不同的区域分别做个扫描及能谱,或许会有发现?
10楼2012-07-09 08:38:45
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