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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » CVD 石墨烯 铜箔处理
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hlpluo

新虫 (初入文坛)

[求助] CVD 石墨烯 铜箔处理

CVD法制备石墨烯，铜箔在1000度下退火30分钟，气体为氩气稀释的氢气（10%），流量20sccm，但是处理后出现了深浅不一的颜色块，如图，没有引入碳源，请问那路高人知道这是为什么？
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1楼 2012-07-07 23:12:41
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

Pay first, then get.

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
转移下来看看是不是graphene~~~你搜下最近的一篇carbon，讲铜箔上石墨烯偏析生长的，应该没有通碳源。
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2楼2012-07-07 23:39:37
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lidx0269

金虫 (著名写手)

ATRP 巯基/二硫 纳米金

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
你的图是光学照片吗？有可能是铜箔不干净，表面有污点。
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3楼2012-07-08 00:52:23
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hlpluo

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by lidx0269 at 2012-07-08 00:52:23
你的图是光学照片吗？有可能是铜箔不干净，表面有污点。

是光学图片，但是有污点的话，也不至于长的这么整齐啊，一条一条的
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4楼2012-07-08 10:32:37
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hlpluo

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by semi-white at 2012-07-07 23:39:37
转移下来看看是不是graphene~~~你搜下最近的一篇carbon，讲铜箔上石墨烯偏析生长的，应该没有通碳源。

你的意思是，不同碳源的情况下就可以长出石墨烯？那篇文章的名字能发一下吗？
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5楼2012-07-08 10:33:34
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

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【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
hlpluo: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-07-08 12:06:55
hlpluo: 回帖置顶 2012-07-10 16:00:26
copper segregation-carbon.pdf
http://kuai.xunlei.com/d/GOLRUUXLKOGX?p=130497
我看了一下它是通碳源的，但也足以证明溶解的c可以长graphene~~ 有篇 Liu Nan 的Nano lett是用Ni做的，利用杂质C偏析生长石墨烯。
你的体系，建议先测个拉曼看看，是graphene的话，再检查是不是铜箔里或者管路里有杂质碳
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6楼2012-07-08 10:52:58
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hlpluo

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by semi-white at 2012-07-08 10:52:58
copper segregation-carbon.pdf
http://kuai.xunlei.com/d/GOLRUUXLKOGX?p=130497
我看了一下它是通碳源的，但也足以证明溶解的c可以长graphene~~ 有篇 Liu Nan 的Nano lett是用Ni做的，利用杂质C偏析生长石墨烯。 ...

但是我这个情况只有在1000度下才这样，温度低一点 800度左右就不会出现这种情况 唉 纠结
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7楼2012-07-08 12:09:56
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semi-white

铁杆木虫 (著名写手)

Pay first, then get.
引用回帖:
7楼: Originally posted by hlpluo at 2012-07-08 12:09:56
但是我这个情况只有在1000度下才这样，温度低一点 800度左右就不会出现这种情况 唉 纠结...

印象中铜箔的熔点就是要1000多，这个可以理解~~~先做点实验吧，应该是好现象~~
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8楼2012-07-08 13:04:25
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xiabiaojun

木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
首先你的铜片不干净，上面又在杂质。其次有可能是因为氢气的量太少导致部分氧化造成的。
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9楼2012-07-08 13:57:46
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zhmj_987

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
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hlpluo: 金币+5, ★有帮助 2012-07-09 10:26:59
为什么不做个XRD看看成分呢，或者对2种不同的区域分别做个扫描及能谱，或许会有发现？
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10楼2012-07-09 08:38:45
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