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求助 ESI-TOF MS轰击电压越高 碎片会越多吗？
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lzjessie_wlf
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lzjessie_wlf
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【答案】应助回帖
soundhorizo: ACI+1, 感谢应助 欢迎常来分析版交流指导^^ 2012-07-08 16:19:08
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机器的CE设置是多少呢？ 你所说的电压是指什么voltage? 是capillary voltage？还是 sample cone voltage？ 还是 extraction cone voltage 对于ESI源来说，如果不是collision energy voltage，上面三个voltage 中的任何一个都不是用来轰击分子的。 ESI 源的样品离子化并不是靠电子轰击，而是通过喷雾(spray)过程中甚至在溶液中被质子化(或脱质子化）而产生的 [M+H]+ ([M-H]-)气态离子。 一般的ESI， 大都是通过调节sample cone voltage (也就是调节样品溶液spray 的电压) 来调节样品被离子化的程度。 基本没有样品能达到到100% inpurity。 所以，理论上来说，ESI 的样品都是含杂质的。 MS的检测器检测到的信号是relative intensity，也就是当低电压时，检测器会被其他易离子化杂质小分子饱和，这样就有可能使得样品中主要成分反而能被检测到的比例更少。 这样，你所说的低电压碎片比较多，个人认为应该是易电离小分子杂质的分子离子峰(m/z)。 而加大电压，则是增加了在液相中难质子化样品在喷雾过程的离子化效率。这时样品含量的多少起主要作用，其他杂质峰信号相对减弱。甚至在质谱中不可见。 而且ESI的最大优点就是它易检测到样品分子离子峰，而不是碎片峰。 当然，不排除ESI检测到碎片峰的可能性。 如果要确定较小m/z峰是否是某个分子离子峰的碎片峰，请做MSMS. |
4楼2012-07-07 02:50:41
