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vasp结构优化中EDIFF以及KPOINTS设置,以及氢吸附结合能问题!
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仁兄义姐好:我想问下: 1 在vasp计算中,INCAR中的EDIFF是精度越高会带来越多计算步骤从而花费更多的计算时间,还是说精度越高,却会使每个离子步优化的更精确,从而减少了离子优化的总步数,会是时间减少?这个究竟是怎么回事? 还有K点设置时,是K点越大越耗费资源,计算时间长;还是K点越大而导致收敛的比较顺利而使计算时间变少?这个究竟哪个是主要的,到底对不同的计算结构该怎样分析使用K点。 2 在计算石墨烯以及硅纳米线表面氢吸附结合能的时候,应该怎样计算? 比如说是直接(不优化)在结构上自动加氢,然后再算总能,使结合后的能量减去前两者,但整个过程前后所有结构全都没有优化。还是另外一种情况:就是先把没有加氢的原结构先优化并算出优化后的能量,然后把氢原子加到已优化好的结构上并计算出总能。最后用这个已优化的总能减去前面原结构(已优化)的能量以及氢原子的能量?请问这两种情况哪种对,若都不对,有其他方式吗? 麻烦给出的答案越详细越好,小弟在此谢过! |
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