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Jason-wong至尊木虫 (职业作家)
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关于InGaN薄膜XPS分析的N 1s
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| 要分析N 1s的XPS窄谱，拟合了很久都不大理想。材料中存在In，Ga，N，O，但是查结合能却只能找到GaN的。查找文献，能找到NO3的。另外，我发现有人用MBE法制备InGaN时，N 1s拟合对应有GaN,NHx（x<3）,NH3和NO3。不明白为何有H的存在？求高人指教。附上未经刻蚀和刻蚀40s的N 1s XPS谱，求指教。 |
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2012-06-06 13:51:32, 39.27 K
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