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Jason-wong

至尊木虫 (职业作家)

[求助] 关于InGaN薄膜XPS分析的N 1s

要分析N 1s的XPS窄谱,拟合了很久都不大理想。材料中存在In,Ga,N,O,但是查结合能却只能找到GaN的。查找文献,能找到NO3的。另外,我发现有人用MBE法制备InGaN时,N 1s拟合对应有GaN,NHx(x<3),NH3和NO3。不明白为何有H的存在?求高人指教。附上未经刻蚀和刻蚀40s的N 1s XPS谱,求指教。
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Jason-wong

至尊木虫 (职业作家)

怎么没有人回答呢?我查氮气的N-N键结合能一直没有找到,不知道哪位高人知道是多少呢?
2楼2012-06-06 20:46:13
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)

帮你顶一下
3楼2012-06-06 23:43:26
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Jason-wong

至尊木虫 (职业作家)

引用回帖:
2楼: Originally posted by Jason-wong at 2012-06-06 20:46:13
怎么没有人回答呢?我查氮气的N-N键结合能一直没有找到,不知道哪位高人知道是多少呢?

怎么没有高人出现呢?别沉啊
4楼2012-06-07 08:54:32
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wbcui

至尊木虫 (知名作家)

帮你顶一下
5楼2012-06-08 21:19:34
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