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8楼: Originally posted by lihuan8710 at 2012-06-06 10:32:26
好像回复错位置了  不好意思啊!

11楼2012-06-06 10:48:32
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lihuan8710

金虫 (正式写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by pcsmine at 2012-06-06 10:48:07
谢谢,但是不同电压下,电滞回线变化挺大的,不同电压对比可能有不同的结果,怎么选取呢?而且我认为Pr,Ec是材料本身的性质,而不是外电场决定的。在测试的时候会让电滞回线接近饱和。...

“不同电压对比可能有不同的结果”,这个我没怎么见过! 我见过一般是只要在相同电场下, Ec和Pr的随着电场的变化趋势一般是一致的!当然您说的也对,都饱和了不管加的电场多大,是一定能测出它的Ec和Pr的
12楼2012-06-06 11:01:55
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mse507

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
pcsmine: 金币+1, ★★★很有帮助, 那么,你觉得应该怎样对比呢? 2012-06-06 14:38:50
tjcdp: 金币+1, 鼓励 2012-06-06 17:07:53
引用回帖:
10楼: Originally posted by pcsmine at 2012-06-06 10:48:07
谢谢,但是不同电压下,电滞回线变化挺大的,不同电压对比可能有不同的结果,怎么选取呢?而且我认为Pr,Ec是材料本身的性质,而不是外电场决定的。在测试的时候会让电滞回线接近饱和。...

个人觉得你把问题理想化了。现实是Pr和Ec不仅取决于测试电场,还取决于测试频率。因为你的材料不是完美的晶体,测试的时候就无法排除缺陷的影响。建议你不要纠结这个问题,要么你把材料制备的接近完美,要么正视材料电滞回线的这种差别,而这种差别在一定程度上恰恰反映了你所制备材料的质量,即完美程度。个人拙见,供你参考。
13楼2012-06-06 13:56:45
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spring217

禁虫 (小有名气)

本帖内容被屏蔽

14楼2012-06-06 14:26:21
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fly_feiyu

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与,应助指数 +1
pcsmine: 金币+1, ★★★很有帮助, 谢谢 2012-06-06 16:41:55
tjcdp: IN-EPI+1, 解答仔细,应虫友申请,授予EPI 2012-06-06 17:07:40
tjcdp: 金币+1, 鼓励 2012-06-06 17:07:59
电滞回线饱和之后Pr、Ec随着外电场幅值E0的继续增大变化会很小,但是仍然会有小幅的升高,可以观察Pr/Ec-E0曲线,有些材料会出现两个不同的台阶。还有一般不太注意升压速率,同样是1Hz的电滞回线,E0增大后升压速率是不一样的,这也会对电滞回线产生影响。PE曲线频率尽可能低,现在很多文献都是20mHz这样的低频(对于块体而言,薄膜不同)

如果材料体系大致相同,比较相同E0下的P-E会有意义。如果比较不同E0下的电滞回线,可能不能反映材料的变化规律。如前所述,Pr随着测试频率、E0的变化而变化,变化的大小需要实验来观察。

如果材料体系相差很大,如BT和PZT、BNT等,他们的结构、四方度等差别很大,这时候比较饱和电滞回线就可以了,前提是获得理想的饱和电滞回线,能看到高电场区几乎是直线时是最理想的。

无论比较什么,前提都是获得理想的、饱和电滞回线。对于块体,高频测试会掩盖很多问题。所以频率应尽可能低,让电畴有足够的时间来翻转。
15楼2012-06-06 16:32:49
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