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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » QE(Pwscf) » 请教pwscf计算吸附的问题
北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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cj4566

木虫 (正式写手)

[交流] 请教pwscf计算吸附的问题 已有2人参与

我刚开始学习pwscf，想计算分子在ZnO表面的吸附，跟大家请教一下具体步骤。
我的理解是对ZnO bulk进行relax得到优化后的晶格参数，然后用所得的晶格参数建立表面模型，进行收敛测试，最后加上小分子再进行收敛测试和其他计算。

问题是我对ZnO bulk优化完之后，在.out文件中只看到原子坐标，怎么知道优化后的晶格参数呢？坐标如下，ZnO是六方晶系，P63mc空间群。谢谢了！！！
ATOMIC_POSITIONS (crystal)
O        0.333333333   0.666666667   0.382191656
O       -0.333333333  -0.666666667   0.882191656
Zn       0.333333333   0.666666667   0.000408344
Zn      -0.333333333  -0.666666667   0.500408344
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1楼 2012-05-30 11:24:02
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souledge

专家顾问 (著名写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
WDD880227: 金币+2, 感谢您的指导 2012-05-31 15:20:38
如果是做的relax，那么晶格肯定没变化，只有内部格点位置变化了，所以不用看。
如果是做的vc-relax，晶格会发生变化，这时要看最后一步scf的，也就是这句后的
CODE:
     A final scf calculation at the relaxed structure.
     The G-vectors are recalculated for the final unit cell
     Results may differ from those at the preceding step.

crystal axes部分。
或者如果觉得这里的有效位数太少，可以看这句之前的几行的CELL_PARAMETERS下面的3x3矩阵。
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思想重于技巧，内涵重于表象
2楼2012-05-30 12:35:08
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cj4566

木虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by souledge at 2012-05-30 12:35:08
如果是做的relax，那么晶格肯定没变化，只有内部格点位置变化了，所以不用看。
如果是做的vc-relax，晶格会发生变化，这时要看最后一步scf的，也就是这句后的

     A final scf calculation at the relaxed str ...

这样啊，谢谢souledge，那对于吸附体系，需不需要做vc-relax呢？您看我上面写的步骤没什么问题吧，谢了！！！
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3楼2012-05-30 14:06:12
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huazhorg

铁杆木虫 (正式写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
WDD880227: 金币+1, 感谢交流提示 2012-05-31 15:20:54
1、你的步骤没有问题。
2、vc-relax完成后，可以用xcrysden软件直接测量优化后的晶格常数，可以看到是有变化的。
赞一下 回复此楼
4楼2012-05-31 08:31:15
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cj4566

木虫 (正式写手)
引用回帖:
4楼: Originally posted by huazhorg at 2012-05-31 08:31:15
1、你的步骤没有问题。
2、vc-relax完成后，可以用xcrysden软件直接测量优化后的晶格常数，可以看到是有变化的。

谢谢了！！！
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5楼2012-05-31 12:32:58
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