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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 化学化工区 » 石油化工 » 综合其他 » 关于氧化硅 焙烧表面积的变化
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匿名

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1楼 2012-05-21 16:01:09
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匿名

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3楼2012-05-22 16:12:25
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deeppurple

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
钮挺: 金币+10, ★★★很有帮助 2012-05-22 16:09:27
yy565905733: 金币+5, PCEPI+1, 辛苦了，感谢应助，欢迎常来 2012-05-22 19:21:03
做大孔或介孔氧化硅一般都会用到表面活性剂做造孔剂，所以焙烧过程中只要400-550度烧除表面活性剂就能造孔，此温度焙烧得到的氧化硅比表面一般较大，随着焙烧温度的升高比表面会下降，部分原因是孔道结构的坍塌，焙烧温度最好不要超过800度。大孔、介孔氧化硅的文献特别多，楼主自己多看看吧
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坚忍！
2楼2012-05-22 08:23:06
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deeppurple

木虫 (小有名气)
引用回帖:
3楼: Originally posted by 钮挺 at 2012-05-22 16:12:25:
非常感谢，我也是有表面活性剂做造孔剂，而且焙烧温度是氮气下，600度四个小时，比表面积在200-300之间，我觉得温度有点高导致比表面积不大，想通过降低焙烧温度来提高比表面积！   就是想找一篇直接能看到焙烧温度

氮气气氛下焙烧恐怕表面活性剂不能被完全去除，会造成一定程度的积碳。
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坚忍！
4楼2012-05-22 16:26:02
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匿名

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5楼2012-05-22 16:38:41
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