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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 肖特基势垒
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jb_zrj

铜虫 (小有名气)

[交流] 肖特基势垒

最近做一组半导体测试，上面电极是Al，为了减小肖特基势垒我做了退火，形成Al-Si固溶体。但是情况表明退火破坏了半导体内部一些东西（很薄，500 nm不到）。

我想询问一下半导体的同学，不做退火的情况下，比如说Al-Si，Au-Si，Ti-Si，之间的肖特基势垒会有不同么？或者受Si的掺杂为（p+ 1e-18 cm-3）与（p+ 1e-20 cm-3）之间，会有不同么？

[ Last edited by jb_zrj on 2012-5-13 at 19:16 ]
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1楼 2012-05-13 19:13:58
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jb_zrj

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yanpl06 at 2012-05-14 08:37:54:
肖特基势垒与金属的真空能级和半导体的能带位置是有关系的，不同的金属真空能级不同，掺杂后半导体能带位置变化，势垒当然会有差异。

能不能讲详细一点？比如说Al和Ti、Au的差异？
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3楼2012-05-14 13:12:01
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yanpl06

禁虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
jb_zrj: 金币+2 2012-05-14 13:12:09
本帖内容被屏蔽
2楼2012-05-14 08:37:54
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