应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 学术讨论 » 肖特基势垒
31/1返回列表
查看: 768  |  回复: 2
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看

jb_zrj

铜虫 (小有名气)

[交流] 肖特基势垒

最近做一组半导体测试，上面电极是Al，为了减小肖特基势垒我做了退火，形成Al-Si固溶体。但是情况表明退火破坏了半导体内部一些东西（很薄，500 nm不到）。

我想询问一下半导体的同学，不做退火的情况下，比如说Al-Si，Au-Si，Ti-Si，之间的肖特基势垒会有不同么？或者受Si的掺杂为（p+ 1e-18 cm-3）与（p+ 1e-20 cm-3）之间，会有不同么？

[ Last edited by jb_zrj on 2012-5-13 at 19:16 ]
回复此楼

» 收录本帖的淘帖专辑推荐

能源专区-wy

» 猜你喜欢

» 抢金币啦！回帖就可以得到:

查看全部散金贴
1楼 2012-05-13 19:13:58
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

yanpl06

禁虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
jb_zrj: 金币+2 2012-05-14 13:12:09
本帖内容被屏蔽
2楼2012-05-14 08:37:54
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

jb_zrj

铜虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yanpl06 at 2012-05-14 08:37:54:
肖特基势垒与金属的真空能级和半导体的能带位置是有关系的，不同的金属真空能级不同，掺杂后半导体能带位置变化，势垒当然会有差异。

能不能讲详细一点？比如说Al和Ti、Au的差异？
赞一下 回复此楼
3楼2012-05-14 13:12:01
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
相关版块跳转 我要订阅楼主 jb_zrj 的主题更新
31/1返回列表
普通表情 龙 兔 虎 猫 高级回复 (可上传附件)
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭