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肖特基势垒
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最近做一组半导体测试，上面电极是Al，为了减小肖特基势垒我做了退火，形成Al-Si固溶体。但是情况表明退火破坏了半导体内部一些东西（很薄，500 nm不到）。 我想询问一下半导体的同学，不做退火的情况下，比如说Al-Si，Au-Si，Ti-Si，之间的肖特基势垒会有不同么？或者受Si的掺杂为（p+ 1e-18 cm-3）与（p+ 1e-20 cm-3）之间，会有不同么？ [ Last edited by jb_zrj on 2012-5-13 at 19:16 ] |
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jb_zrj: 金币+2 2012-05-14 13:12:09
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