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jb_zrj

铜虫 (小有名气)


[交流] 肖特基势垒

最近做一组半导体测试,上面电极是Al,为了减小肖特基势垒我做了退火,形成Al-Si固溶体。但是情况表明退火破坏了半导体内部一些东西(很薄,500 nm不到)。

我想询问一下半导体的同学,不做退火的情况下,比如说Al-Si,Au-Si,Ti-Si,之间的肖特基势垒会有不同么?或者受Si的掺杂为(p+ 1e-18 cm-3)与(p+ 1e-20 cm-3)之间,会有不同么?

[ Last edited by jb_zrj on 2012-5-13 at 19:16 ]
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yanpl06

禁虫 (正式写手)

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jb_zrj: 金币+2 2012-05-14 13:12:09
本帖内容被屏蔽

2楼2012-05-14 08:37:54
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jb_zrj

铜虫 (小有名气)


引用回帖:
2楼: Originally posted by yanpl06 at 2012-05-14 08:37:54:
肖特基势垒与金属的真空能级和半导体的能带位置是有关系的,不同的金属真空能级不同,掺杂后半导体能带位置变化,势垒当然会有差异。

能不能讲详细一点?比如说Al和Ti、Au的差异?
3楼2012-05-14 13:12:01
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