| 查看: 6470 | 回复: 12 | |||||||
| 当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖 | |||||||
VASP_2012新虫 (小有名气)
|
[求助]
请问VASP计算，怎么样得到形成焓？
|
||||||
| 请问VASP计算，怎么样得到形成焓？ |
回复此楼» 收录本帖的淘帖专辑推荐
 第一性原理相关文档 | 带电掺杂体系形成能 | vasp计算资料 | 零点能 |
| 缺陷计算 |
» 猜你喜欢
281求调剂（0805）
已经有16人回复
-
304求调剂
已经有6人回复
-
材料工程专硕调剂
已经有6人回复
-
一志愿天大材料与化工（085600）总分338
已经有4人回复
-
085700资源与环境308求调剂
已经有3人回复
-
求材料调剂
已经有8人回复
-
294求调剂材料与化工专硕
已经有5人回复
-
一志愿华中科技大学，080502，354分求调剂
已经有4人回复
-
一志愿吉林大学材料学硕321求调剂
已经有6人回复
-
085410人工智能专硕317求调剂（0854都可以）
已经有3人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- VASP并行计算时，提示“超过CPU时限”而退出计算。请问如何解决？
已经有11人回复
- 求助关于用vasp计算二维石墨烯纳米带所得到的能带结果与报道对不上
已经有7人回复
- VASP计算缺陷形成能是否还要对帯隙进行修正？
已经有5人回复
- VASP计算结果出来后，怎样得到结合能和生成焓？
已经有4人回复
- vasp计算中，如何选择正确的K点
已经有7人回复
- VASP画能带时非自洽计算的KPOINTS怎么得到？
已经有5人回复
- vasp计算掺杂体系的形成能
已经有7人回复
- 【求助】请问VASP计算，顺磁性和无磁性的设置有什么区别？
已经有10人回复
- 【求助】如何使用VASP计算charged defect的形成焓
已经有12人回复
VASP_2012
新虫 (小有名气)
- 应助: 2 (幼儿园)
- 金币: 12.6
- 帖子: 90
- 在线: 21小时
- 虫号: 1770597
- 注册: 2012-04-22
- 专业: 凝聚态物性 II ：电子结构
5楼2012-05-06 00:15:47
2楼2012-05-04 08:37:50
06022043
铁杆木虫 (著名写手)
- 应助: 53 (初中生)
- 金币: 8955.4
- 散金: 542
- 红花: 2
- 帖子: 1355
- 在线: 1040.4小时
- 虫号: 999371
- 注册: 2010-04-17
- 专业: 理论和计算化学
【答案】应助回帖
★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-04 18:34:02
VASP_2012: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-05-09 18:27:01
感谢参与，应助指数 +1
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2012-05-04 18:34:02
VASP_2012: 金币+3, ★★★很有帮助 2012-05-09 18:27:01
|
这个网站上应该很多把。个人认为 0 GPa下叫形成能， 有压强下叫形成焓。我是这样算得 deta E＝ E（AmBn）－mE（A）－nE（B）， A， B 是物质元素，m,n是元素原子比例。E是能量，能量都统一在特定压强下（如。：0 GPa， 5 GPa， 10 GPa....)。E（A）和E（B）需是晶体A或B的最低能量。这是我个人的理解。 |
3楼2012-05-04 17:18:51
4楼2012-05-05 05:45:11
