应《网络安全法》要求，自2017年10月1日起，未进行实名认证将不得使用互联网跟帖服务。为保障您的帐号能够正常使用，请尽快对帐号进行手机号验证，感谢您的理解与支持！

24小时热门版块排行榜    

小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？
52/1返回列表
查看: 3976  |  回复: 20
只看楼主 @他人 存档 新回复提醒 (忽略) 收藏    在APP中查看
当前只显示满足指定条件的回帖，点击这里查看本话题的所有回帖

xw2008

铜虫 (小有名气)

[求助] 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？

请教大家：在用MS的CASTEP模块做计算，我优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？为什么？
  LDA+U ，截止能：550eV，K点（3*3*3）。晶格常数跟实验室相比误差小，相符合。
优化结构的同时计算出的带隙值：2.449eV     接近实验值。
然后算单点能时再次算出算出的带隙值 1.669eV。
两次计算那个更合理？大家平时都是怎样算带隙值的？
请大家帮忙分析下。谢谢！
回复此楼

» 猜你喜欢
1楼 2012-04-29 11:53:31
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xw2008

铜虫 (小有名气)
我刚才看了下总能量：

优化后得到的：总能量
Final energy, E             =  -10125.90682335     eV
Final free energy (E-TS)    =  -10125.90682335     eV
(energies not corrected for finite basis set
NB est. 0K energy (E-0.5TS)      =  -10125.90682335     eV
Dispersion corrected final energy*, Ecor          =  -10128.68578096     eV
Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) =  -10128.68578096     eV
NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) =  -10128.68578096     eV
* not corrected for finite basis set
以下是算单点能得到的：总能量
Final energy, E             =  -10122.89278355     eV
Final free energy (E-TS)    =  -10122.89278355     eV
(energies not corrected for finite basis set)
NB est. 0K energy (E-0.5TS)      =  -10122.89278355     eV
Dispersion corrected final energy*, Ecor          =  -10125.72974146     eV
Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) =  -10125.72974146     eV
NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) =  -10125.72974146     eV
* not corrected for finite basis set
For future reference: finite basis dEtot/dlog(Ecut) =      -5.449783eV
Total energy corrected for finite basis set =  -10125.727685 eV

请大家帮忙分析下：1 此次计算是不是有误？
2 以下是什么意思：
Dispersion corrected final free energy* (Ecor-TS) =  -10125.72974146     eV
NB dispersion corrected est. 0K energy* (Ecor-0.5TS) =  -10125.72974146     eV
2 这两次的能量是不是造成这个结果的原因？以那个能量为准？
赞一下 回复此楼
16楼2012-05-01 12:20:41
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 21 个回答

xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-29 13:38:22
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢帮助 2012-04-29 14:11:45
一般的的LDA和GGA晶格优化会导致晶格膨胀、低估带隙，这都是正常的。对于你的问题毫无疑问应该采用优化的结果。
赞一下 回复此楼
2楼2012-04-29 13:33:11
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

xw2008

铜虫 (小有名气)
我看到：有的人优化结构时，同时勾选能带态密度的计算。也有人优化完了才算能带和态密度。
第一次：我优化结构的同时计算出的带隙值为2.449eV ，
第二次：优化完成后，在计算单点能时，勾选能带，算出的带隙值 1.669eV。
第三次：打开优化后的胞，calculation properties时，勾选上能带和态密度。此结果刚也出来，也是：2.449eV。
三次的设置精度和参数相同。
以前差不多，但是这次不会判断。这三次就怎样才对呢？为什么？
赞一下 回复此楼
3楼2012-04-29 14:22:16
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖

frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢指教 2012-04-29 17:12:17
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的帮助 2012-04-29 19:02:22
结构优化时只选择Gamma点，但是计算能量时选得K点却会密集一些，所以结果有偏差是正常的。但是应该要先做结构优化，然后再去计算其他的性质。
赞一下 回复此楼
frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
4楼2012-04-29 15:08:09
已阅   回复此楼   关注TA 给TA发消息 送TA红花 TA的回帖
查看全部 21 个回答
普通表情 龙 兔 虎 猫
信息提示
关闭
请填处理意见
关闭