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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » MS » 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？
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xw2008

铜虫 (小有名气)

[求助] 用CASTEP优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？

请教大家：在用MS的CASTEP模块做计算，我优化结构的同时计算出的带隙值，比算能量时算出的带隙值大好多？为什么？
  LDA+U ，截止能：550eV，K点（3*3*3）。晶格常数跟实验室相比误差小，相符合。
优化结构的同时计算出的带隙值：2.449eV     接近实验值。
然后算单点能时再次算出算出的带隙值 1.669eV。
两次计算那个更合理？大家平时都是怎样算带隙值的？
请大家帮忙分析下。谢谢！
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1楼 2012-04-29 11:53:31
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xw2008

铜虫 (小有名气)
送鲜花一朵
引用回帖:
9楼: Originally posted by Toapollo at 2012-05-01 07:39:12:
问题应该出在LDA+U上。
一般情况下，优化结构得到的能带参数与性质计算得到的结果应该相差无几的。
你把所得的结果减去U值试试看，即E1=E2+U

谢谢你！我试试
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15楼2012-05-01 12:07:44
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xueht987

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
fzx2008: 金币+2, 谢谢指教 2012-04-29 13:38:22
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢帮助 2012-04-29 14:11:45
一般的的LDA和GGA晶格优化会导致晶格膨胀、低估带隙，这都是正常的。对于你的问题毫无疑问应该采用优化的结果。
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2楼2012-04-29 13:33:11
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xw2008

铜虫 (小有名气)
我看到：有的人优化结构时，同时勾选能带态密度的计算。也有人优化完了才算能带和态密度。
第一次：我优化结构的同时计算出的带隙值为2.449eV ，
第二次：优化完成后，在计算单点能时，勾选能带，算出的带隙值 1.669eV。
第三次：打开优化后的胞，calculation properties时，勾选上能带和态密度。此结果刚也出来，也是：2.449eV。
三次的设置精度和参数相同。
以前差不多，但是这次不会判断。这三次就怎样才对呢？为什么？
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3楼2012-04-29 14:22:16
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frank_zhan

金虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
liliangfang: 金币+1, 谢谢指教 2012-04-29 17:12:17
xw2008: 金币+3, ★★★很有帮助, 谢谢你的帮助 2012-04-29 19:02:22
结构优化时只选择Gamma点，但是计算能量时选得K点却会密集一些，所以结果有偏差是正常的。但是应该要先做结构优化，然后再去计算其他的性质。
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frank_zhan,zy2zhan@gmail.com
4楼2012-04-29 15:08:09
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