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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » 分享一个使用杂化泛函计算稀磁半导体的ppt
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huangll99

木虫 (职业作家)
★ ★
fzx2008: 金币+2, 鼓励交流 2012-04-26 17:30:58
引用回帖:
20楼: Originally posted by buct2010 at 2012-04-26 17:08:45:
能量的话我觉得用标准DFT算没什么问题，因为HSE主要是用来修正电子结构的，而且很多DFT算出来的能量和实验很吻合。我觉得你算能量没有必要用HSE。
如果你非要算的话就算一步弛豫吧，把所有原子固定，用弛豫 ...

我现在算的带电的缺陷，可能有电子占据能隙态，这样用DFT计算的能量就不准了，差距可以大到N*delEgap,N是处在缺陷施主能级的电子数，delEgap是实验值与计算值之间的误差。这个量是比较大的，对于结果的分析影响很大

谢谢回帖
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21楼2012-04-26 17:16:43
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buct2010

金虫 (正式写手)
★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
franch: 金币+2, 专家考核, 谢谢回帖交流。。。 2012-05-07 12:21:31
引用回帖:
21楼: Originally posted by huangll99 at 2012-04-26 17:16:43:
我现在算的带电的缺陷，可能有电子占据能隙态，这样用DFT计算的能量就不准了，差距可以大到N*delEgap,N是处在缺陷施主能级的电子数，delEgap是实验值与计算值之间的误差。这个量是比较大的，对于结果的分析影响很 ...

哦，这样啊。那你可以把优化后的所有的原子固定（selective dynamics，把离子fixed），增大NELM，用HSE去弛豫一下，相当于用SCF修正体系的能量。应该是可行的，我看到有人用HSE优化晶格常数。
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22楼2012-04-26 22:45:56
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huangll99

木虫 (职业作家)
引用回帖:
22楼: Originally posted by buct2010 at 2012-04-26 22:45:56:
哦，这样啊。那你可以把优化后的所有的原子固定（selective dynamics，把离子fixed），增大NELM，用HSE去弛豫一下，相当于用SCF修正体系的能量。应该是可行的，我看到有人用HSE优化晶格常数。

谢谢指教
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23楼2012-04-27 08:44:30
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buct2010

金虫 (正式写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
引用回帖:
23楼: Originally posted by huangll99 at 2012-04-27 08:44:30:
谢谢指教

不客气，希望你能成功。
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24楼2012-04-27 08:49:02
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jzhousd
25楼2012-04-27 09:29:16
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99098585

银虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
学习学习，谢谢楼主！！！！！
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26楼2012-05-07 08:58:21
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zefer123

禁虫 (职业作家)
本帖内容被屏蔽
27楼2012-12-15 13:44:41
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stxjlyh

新虫 (初入文坛)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
东西不错，最近在算这个东西。
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28楼2012-12-15 19:04:18
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leiqing

至尊木虫 (著名写手)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
谢谢楼主啊，我还想麻烦楼主给我传几个关于计算的课件，想学习一下计算，我的qq是674788261，谢谢了哦
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29楼2012-12-16 10:59:33
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donggaomin

金虫 (正式写手)
送鲜花一朵
支持你的帖子
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好好学习
30楼2012-12-18 23:24:53
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